GB/T 44807.1-2024 集成电路电磁兼容建模 第1部分：通用建模框架

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

集成电路电磁兼容建模

第1部分通用建模框架

:

EMCICmodellin—Part1Generalmodellinframework

g:g

IEC62433-12019IDT

(:,)

2024-10-26发布2024-10-26实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和缩略语

3、………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

缩略语

3.2………………4

约定

3.3…………………4

模型的定义

4………………4

概述

4.1…………………4

传导发射模型

4.2………………………4

辐射发射模型

4.3………………………4

传导抗扰度模型

4.4……………………4

辐射抗扰度模型

4.5……………………5

传导脉冲抗扰度模型

4.6………………5

建模方法

5…………………5

通则

5.1…………………5

黑盒建模方法

5.2………………………5

等效电路建模方法

5.3…………………6

其他建模方法

5.4………………………6

模型描述的要求

6…………………………6

模型数据交换格式

7………………………7

概述

7.1…………………7

结构

7.2IC_EMCML……………………7

组成

7.3IC_EMCML……………………8

附录规范性模型的要求

A()ICEMC…………………17

附录规范性表示的基本定义

B()XML………………19

附录规范性的有效关键字和用法

C()IC_EMCML…………………25

参考文献

……………………57

Ⅰ

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成电路电磁兼容建模的第部分已经发布了以下部分

GB/T44807《》1。GB/T44807:

第部分通用建模框架

———1:。

本文件等同采用集成电路电磁兼容建模第部分通用建模框架

IEC62433-1:2019《1:》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院深圳市北测标准技术服务有限公司安徽中认倍佳

:、、

科技有限公司天津先进技术研究院北京智芯微电子科技有限公司工业和信息化部电子第五研究所

、、、、

北京邮电大学浙江大学广州致远电子有限公司北京航空航天大学深圳市海思半导体有限公司

、、、、、

南京信息工程大学中国汽车工程研究院股份有限公司河南凯瑞车辆检测认证中心有限公司苏州菲

、、、

利波电磁技术有限公司江苏省电子信息产品质量监督检验研究院江苏省信息安全测评中心

、()。

本文件主要起草人朱赛崔强吴建飞张海峰方文啸谢玉章李旸付君张金玲魏兴昌陈勇志

:、、、、、、、、、、、

张红丽阎照文黄银涛万发雨褚瑞黄雪梅李腾飞崔培宾陈嘉声

、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

引言

为规范集成电路电磁兼容建模以及为集成电路制造商提供电磁兼容建模方法和要求

,,

规定了集成电路电磁兼容建模的通用框架方法和要求拟由个部分构成

GB/T44807、,6。

第部分通用建模框架目的在于规定集成电路电磁兼容宏建模的框架和方法常用术语的

———1:。,

定义不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式

、。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模目的在于规定集成

———2:(ICEM-CE)。

电路传导发射建模方法和要求

。

第部分传导发射的黑匣子建模理论目的在于给出集成电路传导发射的黑匣子建模

———2-1:。

理论

。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模目的在于规定集成

———3:(ICEM-RE)。

电路辐射发射建模方法和要求

。

第部分集成电路射频抗扰度特性仿真模型传导抗扰度建模目的在于规定

———4:(ICIM-CI)。

集成电路传导抗扰度建模方法和要求

。

第部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型传导脉冲抗扰度建模目的在于

———6:(ICIM-CPI)。

规定集成电路传导脉冲抗扰度建模方法和要求

。

Ⅳ

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

集成电路电磁兼容建模

第1部分通用建模框架

:

1范围

本文件规定了集成电路电磁兼容宏建模的框架和方法规定了其他部分中

(IC)(EMC),IEC62433

常用术语的定义不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

所有部分集成电路电磁兼容建模

IEC62433()(EMCICmodelling)

信息系统编码字符集位美国国家信息交换标准码位

ANSIINCITS4:19867(7ASCII)

[InformationSystems—CodedCharacterSets—7-BitAmericanNationalStandardCodeforInformation

Interchange(7-BitASCII)]

3术语定义和缩略语

、

31术语和定义

.

下列术语和定义适用于本文件

。

311

..

集成电路发射模型-传导发射integratedcircuitemissionmodel-conductedemissionsICEM-CE

;

用于模拟传导电磁发射的宏模型

IC。

注宏模型用于对晶片功能块和知识产权块进行建模

:ICEM-CEIC、(IP)。

312

..

集成电路发射模型-辐射发射integratedcircuitemissionmodel-radiatedemissionsICEM-RE

;

用于模拟辐射电磁发射的宏模型

IC。

313

..

集成电路抗扰度模型-传导抗扰度integratedcircuitimmunitymodel-conductedimmunityICIM-CI

;

用于模拟施加给引脚上传导骚扰敏感度电平的的宏模型

ICIC。

314

..

集成电路抗扰度模型-辐射抗扰度integratedcircuitimmunitymodel-radiatedimmunityICIM-RI

;

用于模拟对外部辐射骚扰的敏感度电平的的宏模型

ICIC。

315

..

集成电路抗扰度模型-传导脉冲抗扰度integratedcircuitimmunitymodel-conductedpulseimmu-

nitICIM-CPI

y;

用于模拟施加给引脚上传导脉冲骚扰敏感度电平的的宏模型

ICIC。

1