GB/T 6648-1986 半导体集成电路静态读/写存储器空白详细规范(可供认证用)

UDC621.3.049-774QB

中华人民共和国国家标准

GB6648—86

半导体集成电路静态读/写

存储器空白详细规范

Blankdetailspecificationforsemiconductor

integratedcircuitstaticread/writememories

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（可供认证用）

1986-07-31发布1987-08-01试行

®银标；偉局批准

中华人民共和国国家标准

UDC621.3

半导体集成电路静态读/写.049.774

GB6648—86

存储器空白详细规范

Blankdetailspecificationforsemiconductor

integratedcircuitstaticread/writememories

（可供认证用）

本规范规定了编制半导体集成电路静态读/写存储器(以下简称器件)详细规范的基本原则。

本规范是与GB4589.1-84《半导体集成电路总规范》有关的一系列空白详细规范之一。

要求的资料

下列(1)〜(9)项要求的内容与首页表中各栏资料相对应，编制详细规范时应填写在相应的

栏中。

详细规范的识别

(1)发布详细规范的国家标准化机构名称。

(2)IECQ详细规范的编号和(或)日期。

(3)总规范号和年代号。.

(4)详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系需要的资料。

器件的识别

(5)器件类型。

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(6)典型结构和应用资料。

如果设计的器件是多用途的，应在详细规范中说明，这些用途对器件所要求的特性和检验都应得

到满足。

如果器件属静电敏感型，应在详细规范中声明。

(7)外形图和/或与外形有关的参考文件。

(8)质量评定类别。

(9)能在各类器件之间进行比较的、最重要的性能参考数据。

〔本规范中，中括号所列内容仅供指导编制详细规范用，不必在详细规范中列出。

本规范中！

■X：表示应在详细规范中填入的数值。

(X)：表示需要时应给出的数值。

〔X〕：表示可选择给出的特性或试验(至少执行其中之一)。〕

国家标准局1986-07-31发布1987-08-01试行

GB6648—86

〔发布详细规范的国家标准化机构名称〕（1）CIECQ详细规范的编号、发布号和（或）

日期〕（2）

评定器件质量的依据：（3）〔详细规范的国家编鲁〕（4）

GB4589.1—84《半导体集成电路总规〔若国家编号与IECQ编号一致，本栏.

范》可以不填。〕*

〔器件型号〕详细规范(5)

订货资料：见本规范第9章。

1机械说明(6)2简要说明

外形依据：IEC191《半导体器件的机双极型或MOS集成静态读/写存储器

械标准化》半导体材料：〔Si〕

外形图：〔可在本规范第12章列出详细封装：〔空封或非空封〕

资料〕。

引出端识别:.〔画出引线排列，包括图

示符号〕。

标志：按GB4589.1—84第2.5条和本

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规范第8章〔可在本规范第8章列出器件上

标志的标法示例〕。

3质量评定类别(8)

〔按GB4589-84中的第2.6条〕

参考数据(9)

按本规范鉴定合格的器件，其制造单位的有关资料，可在合格产品一览表中查到。

4极限值（绝对最大额定值）

若无其他规定，适用于全工作温度范围。

〔编制详细规范时，任何增加的值可在适当处给出。

最好在本规范第12章给出曲线。〕.

GB6648—86

数-值

条款号参数符号NMOSCMOS双极型单位

最小最大最小最大最小最大

4;1电源电压注①7cc或XXXXXX

/dd或

/ee或

7bb

4.2输入电压注①XXXXXX

4.3输出电压注①/oXXXX（X）（X）

4.4输出电流Io（X）（X）X

4.5功耗PbXXX

4.6工作温度范围XXXXXX

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4.7贮存温度范围5XXXXXX

4.8偏置时贮存温度范围TStg(Bl)（X）注②（X）注②（X）注②（X）注②XX

注：①如有必要，应指出该电压是相对于哪一个引出端的。

②对预先编好电程序的存储器，如果与4.6条有不同，应规定最高贮存温度。

5推荐工作条件

〔编制详细规范时，任何增加的条件可在适当处给出。〕

若无其他规定，适用于全工作温度范围。

数值

条款号参数符号NMOSCMOS双极型单位

最小最大最小最大最小最大

5.1电源电压7cc或X-XXXXX

%或

仏或

7bb

5.2输入高电平电压XX弐XXX

5.3输入低电平电压XXXXXX

（X）

5.4数据保持电压yDD(DR)

GB6648—86

6电特性和定时要求

检验要求见本规范第10章。

若无其他规定，适用于全工作环境温度范围。〔如果不能给出器件性能在整个工作环境温度范围的

变化时，应给出25°C和工作温度范围极值下的输入和输出电压及其相应的电流值，应给出输入和/或输

出不同功能类型的电流和电压值。〕

〔编制详细规范时，任何增加的特性和要求可在适当处给出。〕

静态特性

NMOSCMOS

双极型

无时钟要时钟要求无时钟要时钟要求

条款号静态特性符号求注③注④求注③注④单位试验

最小最大最小最大最小最大最小最大最小最大

6.1输入高电平电压^IHXXXXXXXXXX

6.2输入低电平电压%XXXXXXXXXX

6.3输入高电平电流/IH•XA3,A4a,A4b

6.4输入低电平电流IILXA3,A4a,A4b

6.5输入电流4XXXXA3,A4a,A4b

6.6输出高电平电压注⑤心XXXXX»A3,A4a,A4b

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6.7输出低电平电压注⑤XXXXXA3,A4a,A4b

6.8输出高电平阈值电压7oht（X）

6.9输出低电平阈值电压^OLT（X）（X）

6.10输出高