GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
GB/T 36646-2018 Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
国家标准
中文简体
现行
页数:17页
|
格式:PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
发布历史
-
2018年09月
研制信息
- 起草单位:
- 东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院
- 起草人:
- 刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉
- 出版信息:
- 页数:17页 | 字数:28 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS31.220
L95
中华人民共和国国家标准
/—
GBT366462018
制备氮化物半导体材料用
氢化物气相外延设备
Euimentforrearationofnitridesemiconductormaterialsb
qpppy
hdridevaorhaseeitax
ypppy
2018-09-17发布2019-01-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT366462018
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4产品分类和标记…………………………2
4.1分类…………………2
4.2型号标记……………2
5工作条件…………………3
5.1电源…………………3
5.2环境温度……………3
5.3相对湿度……………3
5.4大气压力……………3
5.5洁净室等级…………………………4
5.6冷却水………………4
5.7动力气体……………4
6要求………………………4
6.1压升率………………4
6.2气体输运系统……………………
定制服务
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