GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

GB/T 4061-2009 Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion

国家标准中文简体现行页数：4页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 4061-2009

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

H80/84 半金属与半导体材料

国际标准分类号（ICS）

29.045 半导体材料

发布日期

2009-10-30

实施日期

2010-06-01

发布单位/组织

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

适用范围

本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

发布历史

1983年12月

GB/T 4061-1983　硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

被代替 1983-12-20
2009年10月

GB/T 4061-2009　硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

当前标准现行 2009-10-30

文前页预览

研制信息

起草单位：: 洛阳中硅高科技有限公司

起草人：: 袁金满

出版信息：: 页数：4页 | 字数：5 千字 | 开本：大16开

内容描述

犐犆犛２９．０４５

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中华人民共和国国家标准

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ＧＢ４０６１１９８３

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

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２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

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定制服务

关联标准

替代以下标准

GB 4061-1983

GB/T 4061-1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

被代替

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