适用范围：GB/T 15972的本部分规定了测量光纤宏弯损耗的方法概述、装置、试样和试样制备、程序、计算和结果的技术要求。 本部分适用于测量B类单模光纤在1 550 nm或1 625 nm波长的宏弯损耗，A1类多模光纤在850 nm或1 300 nm波长的宏弯损耗，以及A3类和A4类多模光纤在650 nm、850 nm或1 300 nm波长的宏弯损耗。

适用范围：本文件规定了白酒工业的基本术语和定义。本文件适用于白酒行业的生产、科研、教学及其他有关领域。

适用范围：本文件界定了磨料磨具领域的一般术语和各种磨料、磨具的名称，并表述了其定义（或说明）。本文件适用于磨料、磨具、磨削加工和相关的行业。

适用范围：本文件规定了液压缸活塞和活塞杆动密封装置支承环安装沟槽的符号、系列号、型式、尺寸系列和公差、间隙。 本文件适用于往复运动液压缸活塞和活塞杆用支承环安装沟槽。

适用范围：本文件规定了液压缸活塞和活塞杆用同轴密封件安装沟槽的符号、型式、尺寸系列和公差、安装导入角的轴向长度、间隙。 本文件适用于安装在往复运动液压缸活塞和活塞杆中起密封作用的孔用方形同轴密封件、孔用组合同轴密封件、轴用阶梯形同轴密封件。

适用范围：本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

适用范围：本文件规定了常见医用X射线诊断中受检者的主要器官（或组织)在特定照射条件下的受照剂量估算方法及有关参数。 本文件适用于接受普通X射线摄影、X射线透视、X射线乳腺摄影和X射线计算机断层摄影（CT)的受检者。

适用范围：本文件规定了机器急停功能的功能要求和设计原则，并适用于采用任何能量形式的急停功能。 本文件适用于除以下两类机器以外的所有机械： ——急停功能不能减小风险的机器； ——手持式机器或手动式机器。 本文件不适用于急停功能中用于反转或限制运动、排放(如辐射、液体)偏转、屏蔽、制动或断开等的功能。 注： 利用电气/电子技术实现的急停功能的要求见IEC 60204-1。

适用范围：本文件规定了房间空气调节器用全封闭型电动机压缩机的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输及贮存的要求。本文件适用于制冷剂为R22、R410A、R32和R290的房间空气调节器用全封闭型电动机压缩机（以下简称压缩机，包括转子式压缩机和涡旋式压缩机)。制冷剂为其他类型的同类压缩机可参照使用。

适用范围：本文件规定了参与方位置码的编码、条码表示及应用。 本文件适用于参与方位置的标识、自动识别与数据采集及电子数据共享等。