19 试验
65 农业
77 冶金
  • SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底 现行
    译:SJ/T 11864-2022 Monocrystalline Silicon Carbide Narrow Bandgap Semiconductor Substrate (Half-Insulator)
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11865-2022 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 现行
    译:SJ/T 11865-2022 φ150mm n-type silicon carbide substrate for power devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 现行
    译:SJ/T 11552-2015 Using Brewster angle to measure the content of silicon interstitial oxygen using P-polarized radiation and infrared absorption spectroscopy
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范 现行
    译:SJ/T 11502-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法 现行
    译:SJ/T 11500-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 现行
    译:SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南 现行
    译:SJ/T 11495-2015 Silicon interstitial oxygen conversion factor guideline
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 现行
    译:SJ/T 11503-2015 The method for testing the surface roughness of a single-crystal silicon carbide polishing slice
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 现行
    译:SJ/T 11493-2015 The method of secondary ion mass spectrometry for measuring the nitrogen concentration in a silicon substrate
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范 现行
    译:SJ/T 11505-2015 Ruby monocrystal polishing specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量 现行
    译:SJ/T 11496-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 现行
    译:SJ/T 11492-2015 The determination of composition of phosphorus-gallium-arsenic wafers using photoluminescence method
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 现行
    译:SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 现行
    译:SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 现行
    译:SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 现行
    译:SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法 现行
    译:SJ/T 11501-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 现行
    译:SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 现行
    译:SJ/T 11491-2015 Short-baseline infrared absorption spectroscopy method for measuring silicon interstitial oxygen content
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法 现行
    译:SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01