• SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范 现行
    译:SJ/T 11505-2015 Ruby monocrystal polishing specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 现行
    译:SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 现行
    译:SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 现行
    译:SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 现行
    译:SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法 现行
    译:SJ/T 11501-2015 SJ/T 11501-2015 Test method for crystal morphology of silicon carbide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法 废止
    译:SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 现行
    译:SJ/T 11490-2015 The measurement method for the pit density of polished gallium arsenide wafers with low dislocation density
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 现行
    译:SJ/T 11488-2015 Resistivity, Hall coefficient, and mobility testing methods for semi-insulating gallium arsenide
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 现行
    译:SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 现行
    译:SJ/T 11491-2015 Short-baseline infrared absorption spectroscopy method for measuring silicon interstitial oxygen content
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片 现行
    译:SJ/T 11470-2014 LED Extrusion Sheet
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法 现行
    译:SJ/T 11471-2014 SJ/T 11471-2014 Test Methods for Epitaxial Layers of Light Emitting Diodes (LEDs)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片 废止
    译:SJ/T 11396-2009 Gallium nitride-based light-emitting diode with sapphire substrate sheet
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2009-11-17 | 实施时间: 2010-01-01
  • SJ/T 10744-1996 钨钼丝生产专用名词术语 现行
    译:SJ/T 10744-1996 Glossary of terms for production of tungsten and molybdenum wires
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H63稀有高熔点金属及其合金
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10743-1996 惰性气体保护电弧焊和等离子焊接、切割用钨铈电极 现行
    译:SJ/T 10743-1996 Tungsten-cerium electrodes for inert gas arc welding, plasma welding and cutting
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H63稀有高熔点金属及其合金
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10598-1994 电声器件型号命名方法 现行
    译:SJ/T 10598-1994 Type designation for electroacoustic devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :17.140.50电声学 【中国标准分类号(CCS)】 :H01技术管理
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1994-10-11 | 实施时间: 1995-04-01
  • SJ/T 10600-1994 便携式喊话器通用技术条件 现行
    译:SJ/T 10600-1994 General specification for portable megaphone
    【国际标准分类号(ICS)】 :33.160音频、视频和视听工程 【中国标准分类号(CCS)】 :H00/09冶金综合
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1994-10-11 | 实施时间: 1995-04-01
  • SJ/T 10552-1994 电子陶瓷用二氧化钛中杂质的发射光谱分析方法 现行
    译:SJ/T 10552-1994 Method of emission specthochemical analysis of impurities in TiO2 for use in electron ceramics
    【国际标准分类号(ICS)】 :81.060陶瓷 【中国标准分类号(CCS)】 :H10/19金属化学分析方法
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1994-08-08 | 实施时间: 1994-12-01
  • SJ/T 10557.4-1994 电解电容器用铝箔化学分析方法 原子吸收分光光度法测定铜、铁、锌、锰和镁量 现行
    译:SJ/T 10557.4-1994 Chemical anlytical methods for Aluminium foil for the electrolytic capacitor--Determination of copper,Iron,Zinc,manganese and magnesium with atomic absorption spectrophotometry
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.120有色金属 【中国标准分类号(CCS)】 :H60/69有色金属及其合金产品
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1994-08-08 | 实施时间: 1994-12-01