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译：GB/T 30856-2014 GaAs substrates for LED epitaxial chips适用范围：本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏 -
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译：GB/T 30854-2014 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting适用范围：本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片（以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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译：GB/T 30857-2014 Standard test method for thickness and thickness variation on sapphire substrates适用范围：本标准规定了制备氮化镓薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片(简称衬底片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法。 本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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译：GB/T 30861-2014 Germanium substrate for solar cell适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）制备的太阳能电池用锗衬底片（以下简称锗衬底片）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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译：GB/T 30867-2014 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-02-01收藏
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译：GB/T 30859-2014 Test method for warp and waviness of silicon wafers for solar cells适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）翘曲度和波纹度的测试方法。 本标准适用于硅片翘曲度和波纹度的测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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译：GB/T 30866-2014 Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-02-01收藏
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译：GB/T 30860-2014 Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。 本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需相关各方协商同意。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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译：GB/T 30858-2014 Polished mono-crystalline sapphire substrate product适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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译：GB/T 30855-2014 GaP substrates for LED epitaxial chips适用范围：本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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