适用范围：本文件给出了成年人（18岁~70岁）手部尺寸分型的设置，以及手部控制部位尺寸的回归方程。本文件适用于手动操纵装置、手动工具以及手套等手部穿戴、手部防护等用品的规格设计、生产与选用。

适用范围：本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。 本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

适用范围：本文件规定了金属镧及金属镧粉的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件。本文件适用于以熔盐电解法、热还原法制得的金属镧，主要用作特种钢材、有色金属、贮氢材料、磁性材料的重要添加剂或合金化元素，也可作为制取其他稀土金属的还原剂等。本文件也适用于以金属镧为原料，经氢化脱氢法制得的金属镧粉，主要用作电子工业领域的功能材料、合金置换剂、其他金属还原剂、3D打印粉，以及有色金属、特种合金和特种钢材的添加剂等。

适用范围：本文件描述了2种按照标准色标测定天然生胶颜色的方法：--方法A：与标准颜色玻璃片进行比色；--方法B：用颜色分光光度计测定颜色。本文件适用于天然生胶颜色指数的测定。有争议时，方法B为首选方法。

适用范围：本文件提供了用于质量控制（QC）的标准样品的基本特征，适用于由有能力的人员在实验室内研制标准样品的过程（以避免因运输条件引起的不稳定性）。本文件也适用于很稳定的样品（在运输过程中所关注的特性值没有显著变化的风险）。本文件的主要用户是需要研制特定的质量控制样品（QCM）的实验室人员。如果有运输要求，例如实验室有不同的应用地点或能力验证计划，QCM的研制宜参考ISO Guide 34和ISO Guide 35的相关要求。ISO Guide 34和ISO Guide 35中对研制标准样品（RM）的详细描述也适用于研制QCM。但对“内部”QCM的要求低于对有证标准样品（CRM）的要求。QCM的研制包括均匀性和稳定性评估，提供表征相关特性及其变化的指示值，以便于使用。本文件提供了样品应满足的质量标准，以证明测量系统处于统计控制之下。有关QCM的应用指南，如绘制质量控制图，已在参考文献［3］、［4］、［5］、［6］中涵盖，故本文件未包含。本文件的框架和结构在主要章节提供了研制QCM的一般信息，在附录中包含了一些行业的特定案例研究。案例研究并非完整的“操作手册”，而是突出涵盖了研制QCM时的关键考虑因素。案例研究的复杂程度和详细性各不相同，包含了行业特定的专业术语，但可提供一系列供实验室工作人员汲取的信息。参与研制QCM的各方需要对所研制的样品类型有一定的了解，需注意基体效应和污染等方面的潜在问题。

适用范围：除了下列内容外，GB/T 15092.1-2020第1章适用。增加：本文件适用于额定电压不高于250 V、额定电流不大于16 A、供家用或类似用途的电器器具和其他设备使用的，由手、脚或其他人体动作所驱动或控制的，机械的或电子的软线开关。本文件中“器具”一词指“器具或设备”。   这类开关要由人通过操动件操作，或者靠激发传感器装置操作。操动件或传感器装置在实体上或电气上与开关结合成一体或分离配置，还可以包括操动件或传感器与开关之间信号传输，例如电气的、光的、声的或温度的信号传输。兼有受制于开关功能控制的附加控制功能的开关属于本文件范围。本文件也包括间接驱动的开关，此时操动件或传感器装置的操作是由遥控器、器具的一部分（例如门）来达到。

适用范围：本文件规定了家用燃气燃烧器具（以下简称“燃具”)的试验条件、试验用燃气和燃具性能的通用试验方法。 本文件适用于家用的各种燃气热水器、取暖器、采暖热水炉、燃气灶具等燃具。 注： 本文件所指燃气是GB/T 13611规定的燃气。

适用范围：除了下列内容外，GB/T 15092.1-2020第1章适用。增加：本文件适用于额定电压不高于480 V、额定电流不大于63 A、供家用或类似用途的电器器具和其他设备使用的，由手、脚或其他人体动作所驱动或控制的，机械的或电子的独立安装开关。此类开关由人通过操动件操作，或者靠激发传感器装置操作。操动件或传感器装置在实体上或电气上与开关结合在一起，也可分开配置，还可能包含操动件或传感器与开关之间信号传输，例如：电气的、光的、声的或温度的信号传输。兼有受制于开关功能控制的附加控制功能的开关属于本文件范围。本文件也包括间接驱动的开关，此时操动件或传感器装置的操作是由遥控器、器具或设备的一部分（例如门）来达到。

适用范围：本文件规定了四个身高等级成年人人体模板的设计要求和使用要求。 本文件适用于站姿和坐姿条件下工作空间、操作位置、座椅、操控装置等产品或系统的工效学辅助设计及评价。

适用范围：本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。