适用范围：本标准规定了金库和档案室门耐火性能分级、耐火试验装置、试验条件、试件要求、试验程序、试验结果表示和试验报告等。 本标准适用于密闭空间且最大内容积为142 m3的固定和移动式金库的门，也适用于最大内容积为1 420 m3密闭空间的档案室的门。金库门或档案室门按本标准进行试验后试验结果的应用方法参见附录A。

适用范围：1.1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。 1.4酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。 1.5本标准适用于重量为25 g~5 000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。

适用范围：GB/T 24572的本部分规定了火灾现场易燃液体残留物的固相微萃取法的原理与特性、设备和器材以及试验步骤。 本部分适用于实验室提取汽油、煤油、柴油、油漆稀释剂和乙醇等火场常见易燃液体残留物。

适用范围：2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。

适用范围：1.1本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法，本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。

适用范围：1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪（TD-GC）以及有关样品制备和分析的相关程序。

适用范围：本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。