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77 冶金
  • T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 现行
    译:T/CASAS 009-2019 The secondary ion mass spectrometry (SIMS) detection method is used to measure the trace impurity concentration and distribution in semi-insulating silicon carbide materials
    适用范围:主要技术内容:半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品(如衬底、外延、芯片、器件)性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域,因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :Q34工业技术玻璃
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2019-11-25 | 实施时间: 2019-11-25