19 试验
65 农业
77 冶金
  • SJ/T 11845.3-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分:二极管 现行
    译:SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法 现行
    译:SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • DB52/T 860-2013 5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范 废止
    译:DB52/T 860-2013 Detailed specification for 5KP series silicon transient voltage suppressor diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间: 2013-12-06 | 实施时间: 2014-02-01
  • DB52/T 861-2013 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范 废止
    译:DB52/T 861-2013 Model 2CB003 Silicon Avalanche Rectifier Diode Detailed Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间: 2013-12-06 | 实施时间: 2014-02-01
  • GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分:总则 现行
    译:GB/T 4937.1-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 1:General
    适用范围:本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时,以详细规范为准。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-08-23 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 4937.2-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 现行
    译:GB/T 4937.2-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 2:Low air pressure
    适用范围:本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力,而这种失效是由于气压减小时,空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-08-23 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范 现行
    译:GB/T 6589-2002 Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2002-12-04 | 实施时间: 2003-05-01
  • GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 现行
    译:GB/T 6588-2000 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2000-10-17 | 实施时间: 2001-10-01
  • GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 现行
    译:GB/T 6351-1998 Semiconductor devices Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One-Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes), ambient and case-rated,up to 100A
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L43半导体整流器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1998-11-17 | 实施时间: 1999-06-01
  • GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 被代替
    译:GB/T 4023-1997 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-10-07 | 实施时间: 1998-09-01
  • GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 现行
    译:GB/T 6571-1995 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-07-24 | 实施时间: 1996-04-01
  • GB/T 15177-1994 微波检波、混频二极管 空白详细规范 废止
    译:GB/T 15177-1994 Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1994-08-20 | 实施时间: 1995-04-01
  • GB/T 15178-1994 变容二极管空白详细规范 废止
    译:GB/T 15178-1994 Blank detail specification for variable capacitance diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1994-08-20 | 实施时间: 1995-04-01
  • GB/T 15137-1994 体效应二极管空白详细规范 废止
    译:GB/T 15137-1994 Blank detail specification for gunn diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1994-06-25 | 实施时间: 1995-04-01
  • GB/T 13063-1991 电流调整和电流基准二极管空白详细规范 废止
    译:GB/T 13063-1991 Blank detail specification for current-regulator and current-reference diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1991-07-06 | 实施时间: 1992-03-01
  • GB/T 12562-1990 PIN 二极管空白详细规范 (可供认证用) 废止
    译:GB/T 12562-1990 Blank detail specification for PIN diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1990-12-06 | 实施时间: 1991-10-01
  • GB/T 6570-1986 微波二极管测试方法 废止
    译:GB/T 6570-1986 Measuring methods for microwave diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1986-07-22 | 实施时间: 1987-07-01