适用范围：本标准规定了铸造高锰钢金相取样方法和显微组织以及碳化物、晶粒度和非金属夹杂物级别的评定依据。 本标准适用于GB/T 5680中所规定的除了ZG120Mn7Mo1之外的水韧处理的奥氏体锰钢铸件。

适用范围：本标准规定了精密电阻合金电阻率测试方法。 本标准适用于在参考温度为20 ℃时，测量实心并具有均匀截面的精密电阻合金的体积电阻率和单位长度电阻。对于其他合金在此温度的电阻率的测量亦可参照采用。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了铝箔的刷水试验方法。 本部分适用于铝箔表面脱脂状况的检查。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了铝箔的粘附性测定方法。 本部分适用于检测铝箔层与层间的粘附程度。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了空调器散热片用涂层铝箔亲水性的测定方法。 本部分适用于空调器散热片用涂层铝箔亲水性的测定。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了铝箔的直流电阻测定方法。 本部分适用于电力、无线电电容器用铝箔20℃时标准试样的直流电阻测定。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了重量法测定铝箔厚度的方法。 本部分适用于厚度不大于0.05 mm的铝箔的厚度测定。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了药品包装用铝箔热封强度的测定方法。 本部分适用于铝箔与药用聚氯乙烯（PVC）、聚偏二氯乙烯（PVDC）等硬片粘合后制成的固体药品（片剂、胶囊剂等）包装用铝箔粘合层的热封强度的测定。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了空调器散热片用涂层铝箔的表面密度测定方法。 本部分适用于空调器散热片用涂层铝箔表面密度的测定。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了用针孔箱检测铝箔针孔的方法1)。 本部分适用于铝箔针孔数量及针孔直径的检测。

适用范围：GB/T 22638的本部分规定了铝箔表面润湿张力的测定方法。 本部分适用于铝箔表面润湿张力的测定。

适用范围：本标准规定了预应力混凝土用钢材的拉伸、弯曲、反复弯曲、扭转、缠绕、等温松弛、疲劳、应力腐蚀、偏斜拉伸、化学分析、几何尺寸测量和相对肋面积确定等试验方法。 本标准适用于预应力钢丝、钢棒、钢绞线等产品相关性能的测定。

适用范围：GB/T 18876的本部分规定了依据GB/T 18254-2002技术标准对铬轴承钢中碳化物液析、碳化物带状的级别进行的自动图像分析测定的各种步骤。同时也描述了应用ISO 5949：1983对工具钢、轴承钢中碳化物带状级别和按SEP 1520-1998对特殊钢中碳化物带状级别进行自动图像测定的方法。

适用范围：本标准测试方法适用于测定铜-超比大于1的铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体的直流临界电流，也同样适用于测定铌钛芯丝直径大于1 μm、铜-超比大于0．9、铜镍合金(Cu-Ni)-超导体比大于0.2的铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导线的直流临界电流。由于铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体和铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体两者的临界电流测试方法略有不同，本标准的附录C(规范性)将介绍测量铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体时所需特别遵从的规定。 本标准测试方法适用于在标准的测试条件下超导体所处的磁场小于或等于其上临界磁场的0.7倍、临界电流小于1 000 A、n值大于12的超导体。测量时，被测样品应浸泡在已知温度的液氦中。被测导体应为圆形或矩形截面的一体化超导线，其截面积小于2 mm2。被测样品应具有螺旋线圈几何形状。 本标准还给出在日常测试中为本实验方法所允许的偏离以及其他具体限定。 临界电流大于1 000 A或者截面积大于2 mm2的导体也可以使用本方法测量，但测量不确定度会增大，且自场效应更明显(见附录B)。此外，为了简单和保持比较低的测量不确定度，本标准不涉及对于大截面导体可能更适合的特殊样品形状。 本标准给出的测量方法经过适当修改可适用于测定其他类型复合超导线的临界电流。

适用范围：本部分规定了高纯铝中铁、钛、镓、铜、锌、铅、铟、镉、银、钴、钼、锑、铋等痕量元素含量的测定方法。

适用范围：本标准规定了用氨气加速试验检测铜及铜合金加工材中残余应力（包括外加应力）的方法。这种应力均可导致材料在使用或储存过程中因应力腐蚀破裂而损坏。 本标准适用于黄铜加工材残余应力的检验，也适用于组装件和零部件（有限尺寸）的检验。

适用范围：本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10-9~100×10-9。

适用范围：本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围：0.002×10-9～100×10-9。

适用范围：本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。