适用范围：本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝（以下简称银丝）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存质量证明书、订货单（或合同）等内容。 本标准适用于半导体封装用键合银丝。

适用范围：本标准规定了深冲压用铜-钢复合薄板和带材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存质量证明书和订货单（或合同）等内容。 本标准适用于汽车和农业机械的发动机散热器水室、压花门、家具五金、制笔、艺术品、灯具、纽扣、餐厨具及弹壳等深冲压加工制造领域用的铜钢复合薄板和带材（以下简称CSC板带材）。其他类似领域使用的CSC板带材可参照本标准规定。

适用范围：本标准规定了羧乙基锗倍半氧化物中无机二氧化锗、羧乙基锗倍半氧化物、铅、镉、汞及砷含量的测定方法。 本标准适用于测定羧乙基锗倍半氧化物中的无机二氧化锗，测定范围为0.005%～0.050%；羧乙基锗倍半氧化物，测定范围为98.5%～100.0%；铅、镉、汞，测定范围分别为（0.01～1.0）×10-4%、（0.01～0.5）×10-4%、（0.01～0.5）×10-4%；砷，测定范围为（0.10～1.0）×10-4%。

适用范围：本标准规定了铜铍中间合金锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于各种工艺生产的铜铍中间合金锭。主要用于铍青铜加工材和电子元件生产等。

适用范围：YS/T 63的本部分规定了在10 ℃～35 ℃范围内阴极炭块、预焙阳极弹性模量的测定方法。 本部分适用于在10 ℃～35 ℃范围内阴极炭块、预焙阳极弹性模量的测定。

适用范围：本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。 本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4 mm的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼此不相连，可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。

适用范围：YS/T 63的本部分规定了用比较法测定铝用炭素材料20 ℃～60 ℃间的热导率。 本部分适用于铝用炭素材料热导率的测定。测定范围为2 W/（K·m）～200 W/（K·m）。 本部分也适用于测定石墨电极等其他炭素材料的热导率。

适用范围：本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。 本标准适用于在111、100和110晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm～120 μm硅外延层厚度的测量。

适用范围：YS/T 587的本部分规定了煅后石油焦振实密度的测定方法。 本部分适用于煅后石油焦振实密度的测定，其中方法1适用于采用轻拍法测定粒度范围在0.25 mm～8.0 mm内的煅后石油焦振实密度（TBD）；方法2适用于采用振动法粒度范围在0.212 mm～7.00 mm 内、有代表性的2 kg煅后石油焦试样的振实密度（VBD），在上述粒度范围内，测定试样中颗粒的最大粒度和最小粒度的比值应小于22，宜小于2。

适用范围：本标准规定了氢气净化用钯合金管材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于氢气净化用钯合金管材（以下简称管材）。