适用范围：本标准规定了高纯三氧化二镓的要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以高纯镓为原料经氧化和粉末工艺制得的纯度为99.999 5%和99.999 9%的高纯三氧化二镓。产品供制备白光LED用的荧光粉、三钆石榴石(GGG晶体)和其他材料。

适用范围：本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒也适用于其他高温真空炉/保护气氛炉用碳/碳复合材料保温筒。

适用范围：本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片(主要包括100 mm、125 mm、150 mm和200 mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片)经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。

适用范围：本标准规定了羧乙基锗倍半氧化物的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同)等内容。 本标准适用于以高纯二氧化锗或以高纯四氯化锗为原料制备的羧乙基锗倍半氧化物（Ge-132)。

适用范围：本标准规定了金属导体废电线电缆的分类和要求。 本标准适用于金属导体废电线电缆的国内外贸易，以及有色金属回收、加工制造企业对其的回收利用。

适用范围：本标准规定了单晶拉制炉用碳/碳复合材料坩埚的要求、试验方法、检测规则及标志、包装、运输、贮存、质量说明书和合同（或订货单）内容。 本标准适用于半导体领域单晶拉制炉用碳/碳复合材料坩埚，也适用于其他高温炉提纯多晶硅和冶炼金属用碳/碳复合材料坩埚。

适用范围：本标准规定了碲化镉的技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和安全提示。 本标准对应的碲化镉是以5 N碲和5 N镉为原料以高温合成技术制成的，该产品主要用于红外以及可见光的发光装置材料等。

适用范围：本标准规定了高纯砷的分类和标记、要求、试验方法、检验规则、产品标识、包装、运输、贮存等。 本标准适用于以工业砷为原料，经升华、氯化、精馏、氢还原等加工提纯后制成的纯度不小于99.999%、 99.9999%、99.99999%的高纯砷。产品主要用于制造砷化镓等ⅢⅤ族化合物半导体、外延源以及半导体掺杂剂等。

适用范围：本标准规定了硅粉的要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于在矿热炉内用碳质还原剂与硅石熔炼所生成的工业硅破碎分筛加工成的硅粉，主要用于生产多晶硅的原料。

适用范围：.1本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 1.2本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。 1.3本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.1～50）Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。

适用范围：本标准规定了二氧化硒的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于采用燃烧法所生产的二氧化硒。适用于电解金属锰添加剂、精细化工合成各种硒酸盐、饲料添加剂、有机合成氧化剂、催化剂、电镀表面处理剂、化学试剂等领域用二氧化硒。