适用范围：本文件适用于废电线电缆的回收。

适用范围：本文件适用于化学气相沉积法（CVD）制备的硫化锌晶体（包括标准硫化锌和多光谱硫化锌），透过波长范围为1μm～14μm。

适用范围：本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。

适用范围：本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价。

适用范围：本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉。

适用范围：本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。

适用范围：本标准规定了工业硅粉中二氧化硅含量的测定方法。 本标准适用于工业硅粉中二氧化硅含量的测定，测定范围为≥1%。

适用范围：本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

适用范围：本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。

适用范围：本标准规定了半导体器件键合用铝-1%硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存及质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于半导体内引线用拉制或挤压铝-1%硅细丝（以下简称细丝）。

适用范围：本标准规定了硅片的包装。 本标准适用于硅单晶抛光片、外延片、SOI等硅片的洁净包装、硅单晶研磨片(简称硅研磨片)包装和太阳能电池用硅片包装使其在运输、贮存过程中避免再次沾污和破碎。

适用范围：本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。

适用范围：本标准规定了锗粒的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以锗单晶或区熔锗锭为原料，经机械加工而制得的锗粒，主要为工艺品和健身护品提供镶件。

适用范围：本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。

适用范围：本标准定义了标记包括字母数字的几何尺寸和空间位置尤其适用于带参考面和带缺口的硅抛光片。 本标准不涉及制作标记的技术。

适用范围：本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒。

适用范围：本标准规定了高纯三氧化二镓的要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以高纯镓为原料经氧化和粉末工艺制得的纯度为99.999 5%和99.999 9%的高纯三氧化二镓。产品供制备白光LED用的荧光粉、三钆石榴石(GGG晶体)和其他材料。

适用范围：本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片(主要包括100 mm、125 mm、150 mm和200 mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片)经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。

适用范围：本标准规定了羧乙基锗倍半氧化物的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同)等内容。 本标准适用于以高纯二氧化锗或以高纯四氯化锗为原料制备的羧乙基锗倍半氧化物（Ge-132)。

适用范围：本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒也适用于其他高温真空炉/保护气氛炉用碳/碳复合材料保温筒。