适用范围：本标准规定了铝及铝合金中合金元素及杂质的光电直读发射光谱分析方法。本标准适用于铝及铝合金中锑、砷、钡、铍、铋、硼、镉、钙、铈、铬、铜、镓、铁、铅、锂、镁、锰、镍、磷、钪、硅、钠、锶、锡、钛、钒、锌、锆28个元素的同时测定，测定范围见表1。

适用范围：本标准规定了变形镁合金铸锭及其加工产品中的熔剂、氧化夹杂的试验方法。 本标准适用于变形镁合金铸锭及其加工产品的熔剂与氧化夹杂检测。

适用范围：本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10-9~100×10-9。

适用范围：本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围：0.002×10-9～100×10-9。

适用范围：本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

适用范围：本标准规定了铝及铝合金中合金元素及杂质的光电直读发射光谱分析方法。 本标准适用于分析棒状或块状试样中硅、铁、铜、锰、镁、铬、镍、锌、钛、镓、钒、锆、铍、铅、锡、锑、铋、锶、铈、钙、磷、镉、砷、钠24个元素的光电直读发射光谱测定。测定范围见表1。

适用范围：本标准适用于位错密度为（0～100000）个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。

适用范围：本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

适用范围：本标准适用于位错密度0cm-2～100000 cm-2 的n型和p型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为（111）、（100）和（113）面。

适用范围：本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达 104Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

适用范围：本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×1014 cm-3～5×1017 cm-3。

适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。

适用范围：本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围： n-GaAs 1.0×10 17 cm -3～1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3～1.0×10 20 cm -3