适用范围：本文件描述了集成电路（IC）对射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。本文件适用的频率范围为150 kHz～1 GHz或为TEM小室和宽带TEM小室的特性决定的频率范围。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权（IP）核质量的评测内容，包括IP核的文档质量、IP核的电路设计质量、物理设计质量、模型质量、IP核功能验证质量和IP核流片验证质量等。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者、使用者和第三方评测模拟/混合信号IP核的质量，包括完备性和可复用性，并不涵盖具体功能和性能的评测。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权(IP)核交付项及推荐格式或语言的要求。本文件适用于模拟/混合信号IP核的测试、交换与集成。

适用范围：本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和操作步骤。本文件只适用于使用电耦合方法进行的芯片间校准。

适用范围：本文件规定了集成电路知识产权(IP)核的设计开发过程中的一般要求和详细设计要求。 本文件适用于集成电路IP核的开发、转让和集成过程。

适用范围：本文件提供了模拟/混合信号知识产权(IP)核相关文档结构，包括IP核简介、功能规范、设计手册、功能及物理验证文档和应用手册。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者组织撰写模拟/混合信号IP核相关文档、使用者和第三方评价模拟/混合信号IP核文档的质量控制。注： 此处第三方是指在IP核交易过程中进行评测和提供服务的独立机构。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路驱动器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类别驱动器的测试参考使用。

适用范围：本文件定义了集成电路（IC）传导和辐射骚扰电磁抗扰度测量的通用信息，描述了常规的试验条件、试验设备和布置、试验程序和试验报告内容。附录A中给出了试验方法的对照表，帮助选择适当的测量方法。

适用范围：本文件描述了集成电路（IC）对150 kHz~3 GHz频率范围内的射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。

适用范围：本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。

适用范围：本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。本文件适用于光电集成电路和分立器件，如电荷耦合器件（CCD）、光电耦合器、图像敏感器（APS）、光敏管等，用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。

适用范围：本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。

适用范围：本文件描述了半导体集成电路视频编解码（video encoder and decoder）电路中的模拟视频接口类电路（以下简称“器件”）电特性测试方法。 本文件适用于视频编解码电路中的模拟视频接口类电路的测试。

适用范围：本文件规定了数字模拟（DA）转换器（以下简称DA转换器或DAC）的分类、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的DA转换器。

适用范围：本文件规定了集成电路（IC）对标准传导电瞬态骚扰的抗扰度测量方法。与受试器件（DUT）运行不同步的骚扰通过耦合网络施加给IC引脚。不管电瞬态骚扰是否在IC规定的工作电压范围之内，本方法都能够得到传导电瞬态骚扰和其引起的IC性能降级之间的相互关系并对其进行分类。

适用范围：本文件规定了模拟数字（AD）转换器（以下简称AD转换器或ADC）的分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的AD转换器。

适用范围：本文件描述了微波电路类的电调衰减器主要电参数的测试方法。本文件适用于单片和混合集成的微波电调衰减器（以下简称衰减器)的相关电参数测试。

适用范围：本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路霍尔电路（以下称为器件）电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。