国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：SJ/T 11975-2025 Power system insulation gate bipolar transistor (IGBT) specification for packaging and categories【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01收藏 -
现行
译：SJ/T 11974-2025 Electrical specification for isolation gate bipolar transistor (IGBT) module【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01收藏
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译：SJ/T 11972-2025 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Flat Ceramic Housing/Shell【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01收藏
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译：SJ/T 11973-2025 Electric vehicle (EV) insulation gate bipolar transistor (IGBT) module category specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01收藏
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译：SJ/T 11851-2022 SJ/T 11851-2022 Semiconductor discrete devices - Detailed specification for NPN silicon small power switching transistor pair S3DK5794【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
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译：SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
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译：SJ/T 11850-2022 Semiconductor discrete devices 3DK2219A, 3DK2222A, and 3DK2222AUB type NPN silicon small power switching transistor specification in detail【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
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译：SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
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译：SJ/T 11824-2022 SJ/T 11824-2022 Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equivalent capacitance and voltage change rate test method【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
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译：SJ/T 11765-2020 Transistor low-frequency noise parameter testing method适用范围：适用于双极型晶体管与场效应晶体管，其他晶体管产品可参照执行【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2020-12-09 | 实施时间： 2021-04-01收藏
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译：SJ/T 1480-2016 The detailed specification of a high-frequency small-power silicon PNP transistor type 3CG130【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1826-2016 Semiconductor discrete device 3DK100 type NPN silicon small power switching transistor specification in detail【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1832-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor model 3DK102 in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1472-2016 Detailed specification for high frequency small power silicon PNP transistor type 3CG110 in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1830-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor 3DK101 in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1486-2016 Semiconductor discrete device 3CG180 silicon PNP high frequency and high reverse voltage small power transistor detailed specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1838-2016 Detailed specification of the 3DK29 type NPN silicon small power switching transistor for semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1831-2016 Detailed specification for 3DK28 type NPN silicon small power switching transistor in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1477-2016【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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译：SJ/T 1834-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor 3DK104 type semiconductor discrete device【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
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