适用范围：本文件规定了电光调制器用铌酸锂单晶薄膜的要求、检查与检验规则、包装、标签/标志、储存和运输要求，描述了检测方法。 本文件适用于铌酸锂薄膜层厚度为100 nm~1 000 nm，直径为76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm和200.0 mm，X切向的电光调制器用同成分铌酸锂单晶薄膜，其他规格的铌酸锂单晶薄膜参照执行。

适用范围：本文件规定了量子信息用光学级近化学计量比铌酸锂晶体的技术要求、检测方法、检查与验收规则，以及包装、标签、储存和运输等。 本文件适用于厚度分别为0.5 mm 和1 mm，直径为3 英寸(in)、4 in 和6 in，x 切和z 切的量子信息用光学级近化学计量比铌酸锂晶体双抛片的设计、生产、检验和验收。主要应用对象为光学超晶格、电光调制器、铌酸锂光波导器件、铌酸锂单晶薄膜等。 注： 1 in=25.4 mm。

适用范围：本文件规定了掺铈硅酸镥单晶的技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于掺铈硅酸镥闪烁晶体，其他元素掺杂硅酸镥闪烁晶体产品可参照本文件。

适用范围：本文件规定了高性能磁光晶体的术语和定义、技术要求、检测方法、检测规则以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于铽镓石榴石磁光晶体，其他同类高性能磁光晶体产品可参考本标准。

适用范围：本标准规定了高性能红外探测器用热释电单晶的术语和定义、产品分类和标记、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于铌镁钛酸铅单晶和铌铟镁钛酸铅单晶等高性能红外探测器用热释电单晶产品，其他同类高性能热释电单晶产品可参考本标准。