适用范围：范围:本文件规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语和定义、产品分类、技术要求、检测方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本文件适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延衬底; 主要技术内容:碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，2英寸、3英寸、4英寸、6英寸中碳化硅单晶的生长质量也得到进一步提升。另外国内8英寸（150.0mm）碳化硅单晶已经面世，填补了我国在8英寸方面的空白。因此需要对T/IAWBS 001-2017《碳化硅单晶》团体标准中关于2英寸（50.8mm）、3英寸（76.2mm）、4英寸（100.0mm）、6英寸中相关指标要求进行调整，来满足不同用途的产品质量标准

适用范围：主要技术内容:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件的外延衬底。本标准规定了碳化硅晶片的拉曼光谱检测方法。本标准适用于在室温下晶向为的碳化硅晶片的[0001]方向及（0001）面的拉曼光谱检测。本标准规定了碳化硅晶片的摇摆曲线的检测方法。本标准适用于在室温下晶向为[0001]的碳化硅晶片的[0001]方向及（0001）面的摇摆曲线检测。本标准规定了熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶的位错密度的检测方法。本标准适用于碳化硅单晶片