GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14144-1993 Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
基本信息
发布历史
-
1993年02月
-
2009年10月
研制信息
- 起草单位:
- 中国科学院上海冶金研究所、峨嵋半导体材料研究所
- 起草人:
- 蔡培新、陈永同、梁洪、顾为芳
- 出版信息:
- 页数:6页 | 字数:10 千字 | 开本: 大16开
内容描述
中华人民共和国国家标准
硅晶体中间隙氧含量径向变化
GB/T14144一.9
测量方法
Testmethodfordeterminationofradial
interstitialoxygenvariationinsilicon
1主题内容与适用范围
本标准规定了硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1S2"cm的硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量。侧量范围为
3.5x1015at"cm-“至间隙氧在硅中的最大固溶度。
2引用标准
GB1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收侧量方法
GB/T1414330。一900[m硅片间隙氧含量红外吸收侧量方法
8方法提要
根据待测硅晶体的生长工艺特点,在四种测量点选取方案中选择一种适用的方案。在规定的侧t
位置,按GB1557或GB/T14143规定的方法测定硅中间隙氧含量,并将其值代入计算公式,求出
间隙氧含量径向百分变化。
4测t仪器
4.1红外光谱仪。仪器分辩率小于5cm-’。
.‘之样品架。具备按选点方案要求作测量位置调整的功能.其光栏孔径为05一8mm,
4.8厚度侧量仪。精度优于2Wm.
4.4标准平面平晶。
4.578K低温侧量装置。
肠试样要求
5.1试样厚度约为2mm或。.3.0.9mma当间隙氧含量低于1X1010at"cm-3时可选用厚度约为
5mm或1Omm的硅片。
5.2试样经双面机械抛光或化学抛光(仅适用于单晶),表面呈镜面,无桔皮状皱纹和凹坑。厚度为
0.3--0.9mm的试样表面应符合GB/T14143中5.1一5.2条的规定。
5.3试样在测量光栏孔径范围内,平整度应不大于2.2tim.
5.4作差别法测量的试样,其测量位置的厚度与参比样品的厚度差小于0.5%0
5.5仲裁侧量的试样需经双面机械抛光。
6测f点选取方案
二1方案A
国家技术监份局1998-02一06批准1998一10-01实旅
GB/T14144一.3
6.1.1mt点位置见图1。
图1方案A侧量点位置
试祥上选两个浏量点(一个中心点和一个边缘点)。
:一:一:
中心点的位置,选在任意两条至少成45。相交的直径的交点上,偏离试样中心不大于1.0mm,
:
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