GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

GB/T 41033-2021 Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

国家标准中文简体现行页数：18页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 41033-2021

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

V29 航天用液压元件与附件

国际标准分类号（ICS）

49.035 航空航天制造用零部件

发布日期

2021-12-31

实施日期

2022-07-01

发布单位/组织

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

归口单位

全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)

适用范围

本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。

发布历史

2021年12月

GB/T 41033-2021　CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

当前标准现行 2021-12-31

文前页预览

研制信息

起草单位：: 中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所

起草人：: 刘智、葛梅、谢成民、王斌、于洪波、岳红菊、姚思远、李海松、耿增建、胡巧玉

出版信息：: 页数：18页 | 字数：37 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS49.035

CCSV29

中华人民共和国国家标准

/—

GBT410332021

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

DesinreuirementsofradiationhardeninforCMOSIC

gqg

2021-12-31发布2022-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT410332021

前言…………………………Ⅰ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

、………………………

3术语定义和缩略语1

3.1术语和定义…………………………1

3.2缩略语………………2

4设计流程…………………2

5抗辐射加固设计要求……………………3

5.1抗总剂量辐射加固设计原则与要求………………3

5.2抗单粒子辐射加固设计原则与要求………………7

6集成电路辐射效应建模与仿真要求……………………10

6.1集成电路辐射效应建模与仿真一般要求…………10

6.2集成电路辐射效应建模与仿真要求………………10

6.3集成电路辐

关联标准

引用标准

GB/T 9178

GB/T 9178-1988 集成电路术语

现行

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