YB 1601-1983 硅多晶

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中华人民共和国冶金工业部部标准

YB1601-83

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硅多日日

1983-08-18发布1984-10-01实施

中华人民共和国冶金工业部批准

中华人民共和国冶金工业部部标准

YB1601-83

硅多晶

本标准适用于三抓氢硅、四氯化硅氢还原法和硅烷热分解法制取的棒状高纯硅多晶.

技术要求

.1硅多晶技术参数指标应符合下表规定.

特级，品一级品二级品

表面及断面状态结晶致密，表面较平整，断面无夹层结晶致密，表面较平整，无氧化夹层

直径，mm>25>25>Z5>25

直径允许偏差.%士5士5土5土5

基硼电阻率，0·cm)4500>2600>1500>1000

N型电阻率，0·cm异450>300奋150>60

N型少数载流子寿命，Ws芬500>300李150李100

含碳盈，个原子/cm1<2x10"<5x101'65x10'0

含板且，个原子//cm'61x101,提5x1011<5x1011

注:①基硼电阻率和碳.氧含量为保证值。生产厂应经常进行基硼电阻串的检测。每年定期进行碳、氧含量的分

析。

②N型少数载流子寿命值系指氢气下检验工艺测试的寿命值。

③需方如有特殊要隶.供需双方可另行协议。

试验方法和检验规则

2.1试验方法

2:1.1导电类型测试按GB1550-79a硅单晶导电类型测定方法》进行.

2.1.2N型少数载流子寿命测试按GB1553-79"高频光电导衰减方法》进行，取其纵向中间部位

所测得的寿命值。

2.1.3P型、N型电阻率测试按GB1552-79《硅单晶电阻率直流器探针测量方法》进行.

2.1.4含氧量、含碳量的测试分别按GB1557-83《硅单晶中间隙氧含量的红外吸收方法》及

GB1558-83《硅单品中代位碳含量的红外吸收方法》进行.

2.1.5表面状态用肉眼检查。

2.1.6断而状态检验按GB4061-83a硅多晶的断面夹层化学腐蚀检验方法》进行.

2.1.了直径用游标卡尺测量.

直径及其偏差测量位置(系指同一支多晶棒)如下图所示.

直径允许偏差的规定仅适用于区熔法用的硅多晶。

2.2检验规则

2,2.1产品应由供方技术监督部门进行验收，保证产品符合本标准要求，并填写产品质量证明书.

2.2.2需方可对收到的产品进行质量检验，如检验结果与本标准规定不符时，可在收到产品之日起

三个月内向供方提出，由供需双方协商解决.

中华人民共和国冶金工业部1983一8-佃发布1984-10-01实施

YB1601-83

径相等

在此位置任愈部位侧t直径

吝标志、包装、运输、贮存

3,1产品要进行防沾污、防震包装.区熔用硅多晶应保持硅棒完整，防止断裂.

产品外运时必须用箱子包装。箱内需用软物将周围垫塞紧，防止硅棒相互碰撞.箱外应标有“小

心轻放”及防水标志，并标明:

a.收货单位及地址;

b.产品名称:

c.产品数量、毛重、净重;

d.发货单位.

3.2每批产品应附产品质量证明书，注明:

a.供方名称:

b产品名称及等级;

c.产品批号(炉次号);

d.批重、支数:

e，各项分析检验结果及检验部门印记;

f.本标准编号;

9.出厂日期.

附加说明，

本标准由冶金工业部标准化研究所提出.

本标准由峨眉半导体材料厂负责起草.

本标准主要起草人王鸿高.