SJ 20016-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
SJ 20016-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
行业标准-电子
中文(简体)
现行
页数：11页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
SJ 20016-1992
标准类型
行业标准-电子
标准状态
现行
发布日期
1992-02-01
实施日期
1992-05-01
发布单位/组织
-
归口单位
-
适用范围
-
发布历史
-
1992年02月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂共同
- 起草人：
- 王长福、龚云、葛毅妮
- 出版信息：
- 页数：11页 | 字数：- | 开本： -
内容描述
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