SJ 20060-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范
SJ 20060-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120
行业标准-电子
中文(简体)
现行
页数：9页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
SJ 20060-1992
标准类型
行业标准-电子
标准状态
现行
发布日期
1992-11-19
实施日期
1993-05-01
发布单位/组织
-
归口单位
-
适用范围
-
发布历史
-
1992年11月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
- 起草人：
- 王长福、谢佩兰、王承琳
- 出版信息：
- 页数：9页 | 字数：- | 开本： -
内容描述
暂无内容
定制服务
推荐标准
- GB/T 35124-2017 天文望远镜技术要求 2017-12-29
- GB/T 35123-2017 自动识别技术和ERP、MES、CRM等系统的接口 2017-12-29
- GB/T 35127-2017 机器人设计平台集成数据交换规范 2017-12-29
- GB/T 35125-2017 天文望远镜试验方法 2017-12-29
- GB/T 35126-2017 天文望远镜术语 2017-12-29
- GB/T 35122-2017 制造过程物联的数字化模型信息表达规范 2017-12-29
- GB/T 35129-2017 面向食品制造业的射频识别系统 环境适应性要求 2017-12-29
- GB/T 35132.1-2017 自动化系统与集成 制造系统能源效率以及其他环境影响因素的评估 第1部分：概述和总则 2017-12-29
- GB/T 35131-2017 油茶籽饼、粕 2017-12-29
- GB/T 35128-2017 集团企业经营管理信息化核心构件 2017-12-29