GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
GB/T 41064-2021 Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy,Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films
国家标准
中文简体
现行
页数：16页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 41064-2021
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2021-12-31
实施日期
2022-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
适用范围
本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。
发布历史
-
2021年12月
研制信息
- 起草单位：
- 清华大学、中国石油大学(北京)
- 起草人：
- 姚文清、段建霞、杨立平、王雅君、李展平、徐同广、王岩华
- 出版信息：
- 页数：16页 | 字数：33 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS71.040.40
CCSG04
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT410642021ISO171092015
表面化学分析深度剖析用单层和
、
多层薄膜测定射线光电子能谱俄歇
X
电子能谱和二次离子质谱中深度剖析
溅射速率的方法
——
SurfacechemicalanalsisDethrofilinMethodforsutterrate
yppgp
,
determinationinX-rahotoelectronsectroscoAuerelectronsectrosco
ypppygppy
andsecondar-ionmasssectrometrsutterdethrofilinusinsinleand
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multi-laerthinfilms
y
(:,)
ISO171092015IDT
2021-12-31发布2022-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT410642021ISO171092015
目次
前言…………………………Ⅲ
引言…………………………Ⅳ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4单层和多层薄膜参考物质的要求………………………1
5溅射速率的确定…………………………2
()……………………
附录资料性国际比对实验报告
A5
()……
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