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T/CI 610-2024 碳化硅单晶生长技术

T/CI 610-2024 Silicon carbide single crystal growth technology

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CI 610-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H83 化合物半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2024-11-25
实施日期
2024-11-25
发布单位/组织
-
归口单位
中国国际科技促进会
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用物理气相传输法（PVT）进行碳化硅单晶生长的过程; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存

发布历史

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研制信息

起草单位：
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、绍兴晶彩科技有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、山西烁科晶体有限公司、连科半导体有限公司、河北岚鲸光电科技有限公司
起草人：
赵丽丽、王宇、李季、欧阳鹏根、李天、胡动力、王新新、马康夫、顾鹏、张胜涛、王光耀、刘西洋、袁丽、雷沛
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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