YB 1603-1983 硅单晶切割片和研磨片

中华人民共和国冶金工业部部标准

YB1603-83

硅单晶切割片和研磨片

1983-08-18发布1984-10-0.1实施

中华人民共和国冶金工业部批准

中华人民共和国冶金工业部部标准

YB1603-83

硅单晶切割片和研磨片

本标准适用于制造半导体器件(分立器件和集成电路)的三种等直径硅单晶切割片和双面研磨片.

用作其他器件的硅单晶切割片和研磨片，可参照本标准确定其相应的技术参数。

本标准只列出硅片的外形几何尺寸和晶向参数，硅片所涉及的硅单晶物理参数应符合YB1602-83

《硅单晶》所规定的技术要求.

技术要求

1.1术语

1.1.1晶向:晶体结晶方向.

1.1.2晶向偏离:切割硅片时，使硅片法线与晶体结晶方向偏离一定的角度.

1.1.3正交取向偏差:(111)硅单晶片作晶向偏离时，硅片法线与最近的<110》方向在(111)平

面上投影之间的夹角(见图1).

11.4主参考面:硅单晶锭上磨制一确定方向的平面，用作硅片划片方向的标志.

1.1.5次参考面:硅单晶片导电类型和晶向的标志.

1.1.6硅片厚度:硅单晶片中心点厚度值.

1.1.7厚度偏差:硅单晶片中心点厚度的测量值与公称值之差.

1.1.8总厚度变化:硅单晶片五点厚度(中心一点和距边缘6mm处间隔90’的四点)间的最大值与

最小值之差.

1.1.9弯曲度:硅片处于自由无夹持状态下相对于一理想平面的单纯凹或凸的体形变.

1.1.10缺口:硅片周边穿透两面的缺损.

}.1.11崩边:硅片边缘不穿透两面的破损。

1.2技术要求

1.2.1硅单晶切割片和研磨片的技术参数应符合表1的规定。

表1硅单晶切割片和研磨片技术参数

直径

产

品协40功50.8(访50)076.2(075)

名

称允许偏差，不大于

士0.3士0.4士0.5

切)300)350李钊

r靡RA镜Wr}m.ii-亡15土20士既

割<15<20V/肠

度，V.(25<30V/40

片91~

考面长度，mm

蔓霎9^-1213^-17

次参考面长度，mm7^-910^13

研厚度，Rm习13501400

厚度偏差，协位月士10土10

磨总厚度变化，Wm自(10‘12

弯曲度，pm令《25(35

片主参考面长度，mm~913^-1719..,25

次参考面长度，mm7-910^-13

中华人民共和国冶金工业部19肺一。卜18发布1984-10-01实施

Y81803-83

硅单晶片晶向、参考面及技术要求列于表2.硅单晶片主次参考面位置如图2所示.

丧2硅单晶片晶向、参考面及技术要求

参考面{技术要求

主参考面!(110)}

一Pf1““，{无次参考面

IP型(100)I距主参考面90t5'

次参考面IV.,I1，1、IRE;}3e457,ns+s'

1’土、玉‘“{’一‘夕”一--一_

!N型(100)!距主参考面18035"

硅片晶向:

正晶向，(111)和(100>+1"

晶向偏离:(111)向最近的<110)偏离

分立器件25士10

线性电路3士10

双极型电路4士1.

正交取向偏差:土50

往:对于<111)晶向的硅片，主参考面为(no)，对于<100>晶向的硅片，主参考面为垂直于表面的

正交取向偏差

主参考面

图1正交取向偏差示意图

YB1603-83

P型<111)P型<100

图2硅单晶片主、次参考面示意图

1.2.3表面质量

1.2.3.1所有硅单晶片沿径向延仲的缺口长度不得大于Imm，径向大于0.5mm、小于lmm的缺口

在一片硅片上累积长度不得超过5mm，在一批硅片中不得超过总片数的3肠.

1.2.3.2所有硅单晶片沿径向延伸的崩边长度不得大于lmm，径向大于。.5mm、小于Imm的崩边

在一片硅片上累积长度不得超过6.5mm，在一批硅片中不得超过总片数的5肠.

1.2.3.3切割片不允许有明显刀痕，研磨片不允许有刀痕.

1.2.3.4研磨片不允许有严重划道.95,70研磨片应无浅划道，其佘每片每面不得超过三条，总长度

不得超过直径.

1.2.35硅单晶片不允许有裂纹.

1.2.3.6研磨片应无沾污和异常色彩斑点.

试验方法和检验规则

2.1试验方法

2.1.1直径:用游标卡尺或相当的量规测量.

2.1.2厚度:按双方议定的方法测量.

2.1.3总厚度变化:按双方议定的方法测定.

2.1.4弯曲度:按双方议定的方法测定.

2.1.5缺口:8W荧光灯下目测.

2.1.6崩边:8W荧光灯下目测.

YB1603-83

2.1.7刀痕:8W荧光灯下目测.

切割片经用M20号金刚砂研磨，每面去掉3帅m后仍有刀痕者视为明显刀痕;研磨片经过HF:

HNO,=1:5腐蚀液每面腐蚀掉2郎m后仍有刀痕者视为刀痕.

2.1.8研磨片划道:用HF(>400Jo):HNO,(>65%)=1:5腐蚀液每面腐蚀掉20wm后可消失

的划道视为浅划道，凡用上述方法腐蚀后仍然存在的划道视为严重划道。

2.1.9导电类型按GB1553-79硅《单晶导电类型测定方法》进行。

2.1.10硅片电阻率:按双方议定的方法测定。

2.1.11晶体完整性:按GB1554-79硅《单晶(110晶面位错坑腐蚀显示测量方法》进行.

2.1.12晶向:按GB工556-79《硅单晶晶向X光衍射测量方法》进行.

2.2检验规则

2.2.1梅批产品应由供方技术监督部门进行验收，保证产品符合本标准要求，并填写产品质量证明

书

2.2.2电阻率、厚度偏差，总厚度变化、弯曲度、表面质量检验项目按GB2828-81《逐批检查计

数抽样程序及抽样表》进行，采用一次抽样方案.检验项目与合格质量水平见表3,

表3检验项目与合格质量水平

序号项目合格质量水平尸。，%

1电阻率1

2厚度偏差1

3总厚度变化王

4弯曲度1

缺口1

表

崩边3

面

5

质刀痕0,5

量

划道2

2.2.3需方可对收到的产品进行质量检验，如检验结果与本标准规定不符时，可在收到产品之日起

三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。

2.2.4抽样检验不合格批的产品，供方可逐片进行检验，合格者重新组批交货.

3标志、包装、运输、贮存

3.1所有硅单品片应用相应规格片盒包装，然后装入包装箱。包装应具有防损伤、防沽污和防震措

施

2包装箱外应标有小“心轻放”及防水杯志1并注明:

a.收货单位及地址;

b产品名称;

c.产品数量、毛重、净重;

d.发货单位.

3每批产品应附产品质最证明ii,i.!}

a.洪方名称;

b.产品名称;

YH1603-83

产品编号(批号):

批重、片数;

各项分析检验结果及检验部门印记:

本标准编号，

出厂日期。

附加说明:

本标准由冶金工业部标准化研究所提出.

本标准由洛阳单晶硅厂负责起草.

本标准主要起草人杜与章、郭瑾。