YB 3209-1982 锻钢冷轧工作辊超声波探伤方法

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中华人民共和国冶金工业部部标准-

YB3209-82

锻钢冷轧工作辊超声波探伤方法

1982一08一13发布1983一07一01实施

中华人民共和国冶金工业部批准

中华人民共和国冶金工业部部标准

YB3209-92

锻钢冷轧工作辊超声波探伤方法

本标准适用于检验锻钢冷轧工作辊(包括轧制有色金属薄板及箔材、光亮钢板及钢带、普通钢板

及钢带用冷轧工作辊，平整机工作辊，有色金属冷开坯工作辊等)的锻件和成品。

1仪器装置

1.1探伤所用仪器，应符合JB1834-76((A型脉冲反射式超声波探伤仪技术条件》的要求。

1.2采用单晶片直探头，工作频率2--2.5MHz，必要时可采用其它类型探头或变换探伤频率进行

探测。

2探伤方法

2.1采用接触法探伤，以适当的机油作为祸合剂。

2.2轧辊锻件探伤，应先将锻件加工成简单圆柱体(各部位凹槽、盘鼓状、各段台阶过渡及内孔等，

应在探伤后加工)，探伤表面的光洁度应不低于p5.

2.3探伤扫描速度不大于l00mm/s,探头移动扫描时，晶片直径的覆盖应不小于10%,

2.4探测面以圆柱面为主，必要时应对端面进行探测，鉴于低倍缺陷的方向性和探头超声场的特性，

被探轧辊应放在使轧辊可以自由转动的支架上，以保证整个圆周面能被扫描。

2.5起始灵敏度:根据DGS(AVG)法，在工件完好部位，按诱2mm平底孔当量，将底波调至

20%屏高。

2.6对穿透性不良部位，允许重新退火后再探。

验收条件

3.1不允许有白点、裂纹、缩管残余及线性波形与游动性波型缺陷。对无丙孔的轧辊允许有不大

于辊身直径12%的中心疏松。

3.2第四次底反射应不小于70%满屏高。

3.3轧辊按图1和图2所示的部位分区，各区允许存在的缺陷不应超过表1的规定。

图1D<250mm

中华人民共和国冶金工业部1982一。8一13发布1983一07一01实施

YB3209-82

图2D>250mm

I—表面区:S二。.3D,S,二。.2D(电渣钢)、0.15D(非电渣钢);

11—中已、区:S2二0.1h;

班—中间区;

V-I辊颈非传动端区，当两端均为传动端或两端辊颈需表面淬火时，则属111区。

表1

辊身直径D，mm

区

4250夕250

别

允许存在的缺陷

I在规定的灵敏度「，不允许有缺陷波

允许有零星分散的、允许有零星分散的、不大于0Zmm当量的缺陷

0

小于功3.m当徽缺陷

允许有单个零星分散的、娇2一4mm当量缺陷，其间距

m

应不小于so.m。在辊身部分，此种缺陷应不多于10个

允许有单个零星分散的02一6mm当,.缺陷，其中

09一6mm当最缺陷不得多于5个，}且其间距应不小于

IV50mm;允许有不大于02-m当员的缺陷密集区3处，

每个密集区的面积应不大于gc.2,各密集以问距应不

，」、于150.-

4检验与报告

4.1‘轧辊的探伤应由制造厂进行，用户可以复验;也可经双方协议，由用户进行，探伤结果如不合

格，应由制造厂负责。

4,2探伤报告应对存在的缺陷作详细记录，记录可用文字说明，也可以用图形与数字或符号来表明

缺陷的性质、大小和位置。对零星分散的小于功2mm当量的缺陷可不作记录。

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附录A

缺陷的测定

(补充件)

A.1单个缺陷大小—缺陷尺寸小于探头晶片直径时，按DGS(AVG)法确定缺陷当量;缺陷

尺寸大于探头晶片直径时，采用半波高法确定缺陷大小。

A.2密集缺陷—缺陷数量在3个以上，且其间距小于缺陷平均直径的3倍(对不大于砂2mm缺

陷，其间距按不大于6mm计)，或在探测方向上无法区分缺陷大小的3个以上缺陷的区域，称为密集

缺陷，其面积从探头中心算起，并通过几何计算所求得的实际缺陷面积。

A.3线性缺陷—按半波高法测定长度不小于30mm的连续线性缺陷;或将探头移动30mm，在同

一深度上断续出现3个以上缺陷信号，且间距小于缺陷平均尺寸3倍的断续线性缺陷。

A.4游动信号—随着探头的移动，在示波屏上出现明显游动的缺陷信号。

A.5中心疏松—在探伤扫描的灵敏度下，中心出现的草状波(必要时以较低频率核对)，这些缺

陷信号按DGS(AVG)法衰减至该位置价2mm当量波高为20%屏高时，反射信号应在屏上消失或少

于5%满屏高。

A.6穿透性不良区—底反射的次数和高度小于标准规定值的区域。

VB320.一日2

附录B

探伤报告的缺陷记录

(补充件)

当采用符号与数字来记录缺陷时.为使记录能为双方所确认，推荐下述的记录方法。

B.1缺陷记录

B.1.1缺陷记录方法，采用三段记录形式:

第一段一第二段一第三段

第一段记录缺陷在轴向剖面上投影的位置。用D;表示缺陷所在的轴段(以打印端的轴段为D,),

用数字表示缺陷与该轴段基准面(近打印端方向的端面)的距离(mm),游动信号则加上小括号并

以分子表示距离、分母表示深度。

第侧段记录缺陷在径向剖面上投影的位置。以倪表示4个等分圆周的基准点，顺时针方向排列

(其中‘:与“打印位置”方位相同)，用分数表示缺陷位置，其中分子表示距基准点周向距离(mm)

分母表示缺陷径向深度。游动信号则加上小括号，小括号的下角表示对应的轴向距离。

第三段记录缺陷大小及性质。

当量缺陷以当量值表示，例如04。

线性缺陷以当量值和长度(mm)表示，例如娇4x50;

大于探头晶片直径的缺陷以方括号内的面积(mm2)表示，例如2〔0x30)。

密集缺陷用当量大小及大括号内的面积(m,c)表示，例如04{3x4}(当缺陷当量不大于02mm

时，缺陷当量符号可以省略)。

B.1之记录示例，参看图B.1。

图131

例1D,50一GZ120/40一功4

表示缺陷A在第一轴段，轴向距端面50mm，周向FPG:点120mm,径向深度40mm，缺陷大小为

04mm当量。

例2D2200一(*,100,150一06\50

表示缺陷B在第二轴段，轴向距基准端面200-In,191p1距G,100mm,径向深度50mm，缺陷为

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功6mm当员、长SOmm的线性缺陷。

例3D2(140/70一200/30)一G3(80/40一160/30)200

表示缺陷为游动信号c在第二轴段，轴向距离140mm,深度70mm,游动到轴向距离200mm,深

度30mm。在轴向距离200mm处该缺陷从距G380mm,深40mm游动至距G3160mm,深度为30mmo

例4D,150一G3120/40一2〔0x30)

表示缺陷在第一轴段，轴向距基准面150mm，周向距G3120mm,径向深度40mm，为大于探头

晶片直径的缺陷，其尺寸为20x30__3,

例5D2180一G4160/50一03i3x4i

表示该缺陷为功3mm密集缺陷，缺陷轴向位置在第2轴段，距基准面[80mm，周向距G4点160mm,

径向深度50mm,缺陷面积为3x4cm“。

B.2底反射次数记录

B.2.1记录方法

D;(x一x)/x

只表示所在轴段，(x一x)表示起点与终点距基准端面的距离(如整轴段底反射差别不

大时可不写距离)，分母x表示底反射屏高数值。

B.2.2记录示例(参看图B1)

D3(50一200)/2.6

表示在第三轴段，距基准面50一200mm范围内，第三次底反射为屏高609o,.

附加说明:

本标准由冶金工业部设备制造总局提出。

本标准由衡阳冶金机械厂负责起草。