GB/T 43798-2024 平板显示阵列用正性光阻材料测试方法

GB/T 43798-2024 Test method of positive photoresist for manufacturing of flat panel display array

国家标准 中文简体 现行 页数:20页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 43798-2024
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2024-03-15
实施日期
2024-10-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
本文件描述了平板显示阵列用正性光阻材料的测试方法。
本文件适用于液晶显示器件、有机发光显示器件等显示阵列制造用正性光阻材料的性能测试。

发布历史

文前页预览

研制信息

起草单位:
京东方科技集团股份有限公司、上海彤程电子材料有限公司、中国电子技术标准化研究院、阜阳欣奕华材料科技有限公司、江阴润玛电子材料股份有限公司、福建泓光半导体材料有限公司
起草人:
杨澜、程龙、吴怡然、赵俊莎、曹可慰、李琳、吴京玮、岳爽、李璐、戈烨铭、何珂、曾成财、袁晓雷
出版信息:
页数:20页 | 字数:29 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS31.030

CCSL90

中华人民共和国国家标准

/—

GBT437982024

平板显示阵列用正性光阻材料

测试方法

Testmethodofositivehotoresistformanufacturinofflatanel

ppgp

dislaarra

pyy

2024-03-15发布2024-10-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT437982024

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4测试条件…………………2

4.1环境条件……………2

4.2试剂材料……………2

4.3其他配套……………2

5测试项目…………………2

5.1胶膜云纹……………2

5.2曝光量………………4

5.3曝光测试观察图形完整性…………6

关键尺寸()………………………

5.4CD6

5.5残膜率………………7

5.6固含量………………8

5.7液体颗粒计数………………………9

5.8粘度…………………10

5.9相对密度……………11

5.10水分质量分数……………………11

5.11金属杂质含量……………………11

6试验报告…………………13

/—

GBT437982024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)提出并归口。

SACTC203

:、、

本文件起草单位京东方科技集团股份有限公司上海彤程电子材料有限公司中国电子技术标准

、、、

化研究院阜阳欣奕华材料科技有限公司江阴润玛电子材料股份有限公司福建泓光半导体材料有限

公司。

:、、、、、、、、、、、

本文件主要起草人杨澜程龙吴怡然赵俊莎曹可慰李琳吴京玮岳爽李璐戈烨铭何珂

、。

曾成财袁晓雷

/—

GBT437982024

平板显示阵列用正性光阻材料

测试方法

1范围

本文件描述了平板显示阵列用正性光阻材料的测试方法。

、。

本文件适用于液晶显示器件有机发光显示器件等显示阵列制造用正性光阻材料的性能测试

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

/化学试剂电感耦合等离子体原子发射光谱法通则

GBT23942

/:

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GBT25915.11

/仪器分析用高纯水规格及试验方法

GBT33087

/薄膜晶体管液晶显示器()用四甲基氢氧化铵显影液

GBT37403TFT-LCD

/化学试剂电感耦合等离子体质谱分析方法通则

GBT39486

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

曝光量exosureener

pgy

光阻材料单位面积吸收光能或其他辐照能的剂量。

:,,

注用于衡量光阻材料对曝光的敏感程度光学曝光中在给定的曝光光源强度条件下通常通过曝光时间长短调整

曝光量。

3.2

基底片substrate

用于光阻材料涂布的衬底材料。

:、,。

注本文件中基底片可以是单晶硅片外延硅片以及平板显示用玻璃片等

3.3

前烘/

softbakerebake

p

,,

光阻材料通过涂布过程后通过烘箱或热板方式将光阻薄膜内溶剂挥发形成曝光工艺过程所需胶

膜的过程。

3.4

后烘hardbake

,。

光阻材料经过涂布前烘曝光显影后通过烘箱或热板方式进行烘烤的过程

---

:,。

注将光阻薄膜内溶剂进一步挥发以便用于后续工艺

3.5

胶膜云纹coatinfilmmura

g

、、

因光阻材料的厚度或密度不均匀光阻材料中存在异物涂布工艺不稳定等原因造成胶膜表面形成

1