国际标准分类(ICS)
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现行译:GB/T 6150.16-2009 Methods for chemical analysis of tungsten concentrates—Determination of iron content—The sulfosalicylic acid spectrophotometry适用范围:本部分规定了白钨精矿中铁量的测定方法。 本部分适用于白钨精矿中铁量的测定。测定范围: 0.05%~10.00%。【国际标准分类号(ICS)】 :77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 :H63稀有高熔点金属及其合金发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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现行译:GB/T 6412-2009 Test method for household coal and stoves适用范围:本标准规定了家庭用煤及以煤为燃料的家庭炉具性能评定过程中所用到的术语和定义、符号,性能评价的试验原理及测试指标、试验条件、试验程序及试验结果的计算和评定方法。 本标准适用于测定家庭用煤及以煤为燃料的家庭炉具(以下简称炉具)的性能指标。【国际标准分类号(ICS)】 :73.040煤 【中国标准分类号(CCS)】 :D20/29固体燃料矿发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-04-01收藏
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现行译:GB/T 6618-2009 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices适用范围:本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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被代替译:GB/T 6616-2009 Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge适用范围:本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm~1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm~2×102 Ω·cm和2×103 Ω/~3×103 Ω/。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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现行译:GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe适用范围:本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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被代替译:GB/T 6150.8-2009 Methods for chemical analysis of tungsten concentrates—Determination of molybdenum content—The thiocyanate spectrophotometry适用范围:GB/T 6150的本部分规定了钨精矿中钼含量的测定方法。 本部分适用于钨精矿中钼含量的测定。测定范围:0.005%~1.00%。【国际标准分类号(ICS)】 :77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 :H63稀有高熔点金属及其合金发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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现行译:GB/T 6619-2009 Test methods for bow of silicon wafers适用范围:本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25 mm,厚度为不小于180 μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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被代替译:GB/T 6150.3-2009 Methods for chemical analysis of tungsten concentrates—Determination of phosphorus content—The phosphorus molybdenum yellow spectrophotometry适用范围:GB/T 6150的本部分规定了钨精矿中磷量的测定方法。 本部分适用于钨精矿中磷量的测定。测定范围:0.005%~1.00%。【国际标准分类号(ICS)】 :77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 :H63稀有高熔点金属及其合金发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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现行译:GB/T 6620-2009 Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning适用范围:本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 mm,厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01收藏
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被代替译:GB/T 5909-2009 Performance requirements and test methods of commercial vehicles wheels适用范围:本标准规定了商用车辆车轮的试验方法和性能要求。 本标准适用于商用车辆辐板式车轮、辐条式车轮和可拆卸式轮辋的车轮。【国际标准分类号(ICS)】 :43.040.50传动装置、悬挂装置 【中国标准分类号(CCS)】 :T22承载系统发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-07-01收藏