适用范围：本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。 本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。

适用范围：1.1本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。 本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。

适用范围：本标准规定了用于安全监测的固定式气体检测系统评价的术语和定义、项目和内容以及气体检测技术。 本标准适用于有毒和易燃气体检测系统的安全评价。本标准不适用于消防及安全守则的规定。

适用范围：1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm～300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。

适用范围：本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测111或100晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。

适用范围：1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

适用范围：本标准规定了铍铝合金的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及质量证明书与合同（或订货单）内容。 本标准适用于由粉末冶金工艺或由真空熔铸工艺生产的铍含量在60%～69%的铍铝合金产品。

适用范围：本标准规定了锂圆片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及质量证明书与合同（或订货单）内容。 本标准适用于以电池级金属锂为原料，经挤压、冲制制得的供锂锰及其他锂系列扣式电池用的锂圆片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。