适用范围：范围:本文件规定了高速印制板用涂/镀层的测试方法，包括厚度、粗糙度、可焊性、特性阻抗和插入损耗等测试方法。 本文件适用于高速印制板用涂/镀层，主要包括：有机可焊性保护层（以下简称OSP）、沉锡、沉银、化学镍金、化学镍钯金、电镀镍金等，其他行业印制板用表面涂/镀层可参考使用; 主要技术内容:本文件规定了高速印制板用涂/镀层的测试方法，包括厚度、粗糙度、可焊性、特性阻抗和插入损耗等测试方法。本文件适用于高速印制板用涂/镀层，主要包括：有机可焊性保护层（以下简称OSP）、沉锡、沉银、化学镍金、化学镍钯金、电镀镍金等，其他行业印制板用表面涂/镀层可参考使用

适用范围：主要技术内容:本投影一体机的防振性能要求是一般投影机所不具备的，目前只能通过GJB150.16A进行检测

适用范围：主要技术内容:绿色原材料采购标准涉及的产品范围是组成LED灯的封装原材料，主要包含ED芯片、支架（基板）、导线（包括金线、合金线、铜线等）、AB胶（封装胶）、荧光粉、PCB与载带等。绿色原材料采购标准主要包含原材料的生产、储存、检验等采购标准。在生产过程中，原材料厂家需要按照国家要求，处理废水、废弃等污染物。运输与储存过程中，尽可能使用可回收材料装运，减少固体废物。检测过程中，原材料厂家需要提供各个材料符合RoHS、REACH法规、HF无卤素要求的权威测试报告，同时内部需要进行测试各个材料的环保要求，确保成品符合环保标准，减少后续产品对环境的污染

适用范围：主要技术内容:本文件规定了防撞击手持式三维激光扫描仪的术语和定义、构成及原理、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于防撞击手持式三维激光扫描仪的生产及检验

适用范围：范围:本文件规定了光催化用UVA LED模块技术要求，包括术语和定义、技术要求、试验方法、标志、包装和运输。 本文件适用于峰值波长小于370 nm的UVA LED模块作为光源的光催化净化应用。 本文件适用于空气、水的净化，应用场景包括但不限于家庭、商业、工业、医院等; 主要技术内容:光催化技术是指利用在光作用下可以诱发光氧化-还原反应、具有光催化作用的材料以达到一定目的的技术。TiO2是应用最为广泛的半导体催化剂之一，具有合适的半导体禁带宽度（3.0 eV左右，可以用385 nm以下的光源激发活化）、光催化效率高、化学稳定性好、价格便宜、无毒且原料易得等优点，广泛应用于空气净化、水净化、废水处理、抗菌材料等领域。现有光催化用光源国际、国家标准仅规范了汞紫外光源，相对于传统汞紫外光源，紫外LED具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、尺寸小工业设计灵活、光发射指向性好、光谱可定制等特点；目前针对光催化净化领域应用的UVA LED，峰值波长370 nm的外量子效率研发水平达到40%左右，在光催化应用方面已经达到可以取代传统汞紫外光源的要求。希望借助本文件的制定，推动半导体照明、光催化的两个技术领域的融合，引导新兴市场应用和行业健康发展

适用范围：主要技术内容:本标准规定了可视化电子标签的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求

适用范围：主要技术内容:本文件规定了室内全彩LED 透明显示屏（以下简称显示屏）的术语和定义、分类、基本要求、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及质量承诺。本文件适用于室内安装的，屏体结构为镂空状，呈现透明效果的全彩色LED 显示屏

适用范围：主要技术内容:本标准规定了新型APT氯离子自动电位滴定仪的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于新型APT氯离子自动电位滴定仪的生产、检验和验收

适用范围：范围:本标准规定了印制电路板工厂生产场所、仓库、辅助设施的防火要求。 本标准适用于印制板生产工厂的防火要求，不适用于印制板设计和运输过程中的防火要求; 主要技术内容:从历年来的火灾案例及张迪等人[1]统计来看，印制板工厂的火灾原因表现出趋于集中的特点，仅电气设备火灾一项就占到半数以上，且其中60%火灾事故由设备用电线路短路打火、功率过载、设备高温部件老化等问题引发，30%由加热干烧引发；另外，易燃危化品、动火不慎、员工操作不当等均亦时有引发事故的例子。若按工段来分，火灾风险主要集中于以下四类工段：第一类：使用大型电气设备的工序。如电镀、化学沉铜、表面涂覆；第二类：大型公共基础设备设施。如空调系统、电力控制系统；第三类：使用使用大型烘烤类设备及带有烘干段设备的工序，如阻焊印刷、曝光固化、丝印字符、层压；第四类：使用易燃易爆及氧化剂类危化品较多的工序。如图形制作、制网洗网、阻焊。综上，本标准生产场所部分的防火要求主要分为如下几个部分进行规定：加热装置、烘箱/隧道炉、热油炉间、热风整平机、粉尘管理、电气管理、危险化学品管理、排风系统及管道、消防设施配置及安全疏散。这几个部分又可从如下几个方面进行管理：1. 高温加热关键系统管理； 2. 电气管理；3. 危险化学品管理；4. 粉尘管理

适用范围：主要技术内容:SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能