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现行译:GB/T 32279-2015 Specification for order entry format of silicon wafers适用范围:本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01收藏
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现行译:GB/T 32286.1-2015 Soft magnetic alloys—Part 1: Nickel-iron alloys【国际标准分类号(ICS)】 :77.140.40特殊磁性钢 【中国标准分类号(CCS)】 :H58精密合金发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2016-11-01收藏
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现行译:GB/T 32283-2015 Test method for vapor attack on refractories for furnace superstructures适用范围:本标准规定了窑炉上部用耐火材料抗气体腐蚀试验方法的术语和定义、原理、设备、试样、试验步骤、试验结果及试验报告。本标准适用于窑炉上部用耐火材料抗气体腐蚀性的测定。【国际标准分类号(ICS)】 :81.080耐火材料 【中国标准分类号(CCS)】 :Q40/49耐火材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01收藏
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现行译:GB/T 32273-2015 Building construction machinery and equipment—Pedestrian-controlled vibratory plates—Terminology and commercial specifications【国际标准分类号(ICS)】 :91.220施工设备 【中国标准分类号(CCS)】 :P97建筑工程施工机械发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2016-07-01收藏
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被代替译:GB/T 32285-2015 Hot-rolled steel H piles适用范围:本标准规定了热轧H型钢桩的订货内容、分类及牌号表示方法、尺寸、外形、重量及允许偏差、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志及质量证明书。 本标准适用于热轧H型钢桩(以下简称H型钢桩)。【国际标准分类号(ICS)】 :77.140.70型钢 【中国标准分类号(CCS)】 :H44型钢、异型钢发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2016-11-01收藏
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现行译:GB/T 32274-2015 Building construction machinery and equipment—Pedestrian-controlled vibratory(percussion) rammers—Terminology and commercial specifications【国际标准分类号(ICS)】 :91.220施工设备 【中国标准分类号(CCS)】 :P97建筑工程施工机械发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2016-07-01收藏
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被代替译:GB/T 32280-2015 Test method for warp of silicon wafers—Automated non-contact scanning method适用范围:本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和(或)机械效应引起的硅片翘曲,也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01收藏
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现行译:GB/T 32278-2015 Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers适用范围:本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度,即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度(Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm,厚度0.13 mm~1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01收藏
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现行译:GB/T 32277-2015 Test method for instrumental neutron activation analysis (INAA) of silicon【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01收藏
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现行译:GB/T 32282-2015 Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy适用范围:本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。 本标准适用于位错密度在1×103个/cm2~5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2016-11-01收藏