适用范围：主要技术内容:本文件规定了超宽角度高反射光学元件的术语和定义、组成、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于超宽角度高反射光学元件（以下简称“光学元件”）

适用范围：范围:本标准规定了数据中心用水的相关术语和定义、管理、系统运行维护等要求。 本标准适用于新建、改建、扩建及改造运维数据中心的涉水系统资源利用与管理的全过程; 主要技术内容:数据中心用水技术导则范围本标准规定了数据中心用水的相关术语和定义、管理、系统运行维护等要求。本标准适用于新建、改建、扩建及改造运维数据中心的涉水系统资源利用与管理的全过程。规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB 3838  地表水环境质量标准GB 18918  城镇污水处理厂污染物排放标准GB/T 19923  城市污水再生利用 工业用水水质GB/T 29044  采暖空调系统水质GB 50050  工业循环冷却水处理设计规范GB 50335  污水再生利用工程设计规范GB 50174  电子信息系统机房设计规范GB 50710  电子工程节能设计规范GB/T 51083  城市节水评价标准HG/T 3923  循环冷却水用再生水水质标准DB11/T 1282  数据中心节能设计规范术语和定义下列术语和定义适用于本文件。数据中心data center（DC）为集中放置的电子信息设备提供运行环境的建筑场所，可以是一栋或几栋建筑物，也可以是一栋建筑物的一部分，包括主机房、辅助区、支持区和行政管理区等。水资源利用效率 water usage（uses） effectiveness（WUE）数据中心机电设备全年耗水量与数据中心IT设备年度总耗电的比值,单位为L/kWh(IT)。数据中心用水4.1 数据中心用水管理包括制度管理与技术管理两方面。4.2 数据中心用水制度管理包括管理体系的建立、执行与监督检查。4.2.1数据中心运行过程中应当针对水资源的使用与排放建立完整的管理体系，包括管理组织架构、管理规章制度、管理流程等涉及各个与水资源使用与排放相关的用水环节。4.2.2水资源使用与排放管理体系组织架构应当明确负责部门、执行部门、监督检查部门及各自的职责与分工。4.2.3水资源使用与排放管理体系规章制度应当明确管理的目的、需达到的目标、奖惩措施等。4.2.4水资源使用与排放管理体系管理流程应当涵盖自水资源输入（给水）至输出（排放）的全过程，并应明确在全运行周期内制度管理

适用范围：主要技术内容:本文件规定了系统级封装（sip）工艺流程规范的术语和定义、零部件要求、工艺分类、工艺及流程、制程管理、制作记录。本文件适用于系统级封装（sip）的工艺流程及管理

适用范围：主要技术内容:本文件规定了单光路大幅面精密激光扫描系统的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装。本文件适用于单光路大幅面精密激光扫描系统的应用及检验

适用范围：主要技术内容:前言.IV1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.23.1PC+PS复合载带.23.2PC载带.23.3PS载带.23.4ABS载带.23.5改性载带.23.6表面电阻率.23.7剥离力.23.8CPK.23.9透光率.23.10雾度.23.11摩擦电压.23.12平整度.33.13SMD.34技术要求.34.1外观形状.34.2规格尺寸.34.3弯曲度.44.4表面电阻率.54.5剥离力.54.6CPK.54.7透光率.54.8雾度.54.9摩擦电压.54.10平整度.55检验方法.55.1外观形状.55.2结构尺寸.55.3弯曲度.65.4表面电阻率.65.5剥离力.65.6CPK.65.7透光率.75.8雾度.75.9摩擦电压.75.10平整度.76出厂检验.76.1抽样规则.76.2出货报告.76.3判定规则.7

适用范围：范围:本文件规定了电子元件及电子专用材料制造业碳中和产品评价的基本要求、评价指标体系、评价方法和评价程序。 本文件适用于电子元件及电子专用材料制造业产品生产的碳中和评价工作; 主要技术内容:本文件规定了电子元件及电子专用材料制造业碳中和产品评价的基本要求、评价指标体系、评价方法和评价程序。本文件适用于电子元件及电子专用材料制造业产品生产的碳中和评价工作

适用范围：范围:本文件规定了海洋地震勘探固体拖缆压电检波器（以下简称检波器）的组成、型号命名方法、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。 本文件适用于海洋地震勘探固体拖缆压电检波器的设计、制造和验收; 主要技术内容:(1)声压灵敏度M（ref 1V/μPa）  192.5±1.5（dB）  根据装备的指标要求，并充分考虑使用寿命确定(2)自由电容CT（1kHz） 8200±820（pF） 根据装备的电路匹配，并结合检波器的老化、失效情况确定(3)绝缘电阻R  ≥2×109Ω  根据实际使用环境要求确定，作为压电检波器水密性的判据

适用范围：范围:本文件规定了紫外级氟化镁光学晶体的术语和定义、技术要求、检验方法、检验规则以及标识、包装、运输和贮存。 本文件适用于波长190?nm～400?nm的氟化镁晶体的生产、使用和验收; 主要技术内容:本文件规定了紫外级氟化镁光学晶体的术语和定义、技术要求、检验方法、检验规则以及标识、包装、运输和贮存。本文件适用于波长190?nm～400?nm的氟化镁晶体的生产、使用和验收

适用范围：主要技术内容:本文件规定了国内电力领域用单相智能电能表微处理器芯片的基本要求、电气性能、功能要求、环境要求、可靠性要求、机械性能、功能要求附加信息记录的方法

适用范围：范围:本文件规定了采用开放式共聚焦谐振腔法在20 GHz～110 GHz范围内对固体电介质、复合板材、工程塑料等材料的相对介电常数实部和介电损耗角正切的测量方法。其中，相对介电常数实部的测量范围在2～30，介电损耗角正切的测量范围为0.0001～0.05。 本文件适用于氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化硼、碳化硅、钛酸钡等无机材料，印制电路板等有机无机复合板材，聚四氟乙烯、聚苯乙烯等有机工程塑料的相对介电常数实部和介电损耗角正切的测量，也适于其他类似固体电介质、复合板材、工程塑料材料及其液晶聚合物、改性聚酰亚胺等薄膜样品的相对介电常数实部和损耗角正切的测量; 主要技术内容:本文件规定了采用开放式共聚焦谐振腔法在20 GHz～110 GHz范围内对固体电介质、复合板材、工程塑料等材料的相对介电常数实部和介电损耗角正切的测量方法。其中，相对介电常数实部的测量范围在2～30，介电损耗角正切的测量范围为0.0001～0.05。本文件适用于氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化硼、碳化硅、钛酸钡等无机材料，印制电路板等有机无机复合板材，聚四氟乙烯、聚苯乙烯等有机工程塑料的相对介电常数实部和介电损耗角正切的测量，也适于其他类似固体电介质、复合板材、工程塑料材料及其液晶聚合物、改性聚酰亚胺等薄膜样品的相对介电常数实部和损耗角正切的测量