适用范围：本文件规定了普通精度立式外拉床的部件和轴线命名、几何精度检验和工作精度检验及相应的公差要求等。 本文件适用于立式外拉床的精度检验，不适用于立式外拉床的运转检验（如振动、异常的噪声、运动部件的爬行等检验）及参数检验（如速度、进给量等检验）。

适用范围：本文件规定了钨精矿中二氧化硅含量的测定方法。 本文件适用于钨精矿中二氧化硅含量的测定，包含两个方法（方法一：硅钼蓝分光光度法；方法二：重量法)。方法一测定范围（质量分数)：0.50%～10.00%；方法二：测定范围（质量分数)：3.00%～10.00%。测定范围重叠部分以方法一为仲裁方法。

适用范围：本文件描述了用筛分法测定氧化铝粒度分布的方法。本文件适用于氧化铝粒度分布的测定。干筛法适用于粒径小于45 μm的颗粒含量小于50%的粒度分布测定；湿筛法适用于范围为16 μm~63 μm粒度分布的测定；溶剂冲洗法适用于粒径小于20 μm的颗粒含量小于或等于4%的粒度分布的测定。

适用范围：本文件规定了化学试剂溴化钾的性状、技术要求、试验方法、检验规则和包装及标志。本文件适用于化学试剂溴化钾的检验。注： 化学试剂溴化钾分子式为KBr，相对分子质量为119.00（根据2022年国际相对原子质量），CAS号为7758023。

适用范围：本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。 本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/～3.0×103 Ω/。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

适用范围：本文件描述了氧化铝松装和振实密度的测定方法。本文件适用于氧化铝松装和振实密度的测定，氢氧化铝、精细氧化铝及其他固体颗粒物料可参照执行。

适用范围：本文件描述了用氮吸附法测定氧化铝比表面积（SSA)的方法。 本文件适用于氧化铝比表面积的测定，测定范围：50.0 m2/g～150.0 m2/g。

适用范围：本文件描述了钨精矿中硫含量的测定方法。本文件适用于钨精矿中硫含量的测定，包含两个方法（方法一：高频感应红外吸收法；方法二：燃烧碘量法)。方法一测定范围（质量分数)：0.10%～4.00%；方法二测定范围（质量分数)：1.00%～10.00%。 测定范围重叠部分以方法二为仲裁方法。

适用范围：本文件描述了钨精矿中湿存水含量的测定方法。本文件适用于钨精矿中湿存水含量的测定，测定范围（质量分数)：0.20%～10.00%。

适用范围：本文件规定了钨精矿中铋含量的测定方法。 本文件适用于钨精矿中铋含量的测定，包含氢化物发生原子荧光光谱法（方法一)和火焰原子吸收光谱法（方法二)。方法一测定范围（质量分数)：0.001 0%～0.30%，方法二测定范围（质量分数)：0.050%～0.50%。当测定范围有重叠时，以方法二为仲裁方法。