适用范围：范围:本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。 本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件; 主要技术内容:本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验电路6 设备要求7 试验条件8 试验步骤9 失效判据10 试验时间认定11 试验报告

适用范围：主要技术内容:本标准规定了多晶硅太阳电池的术语与定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存、质量与服务承诺。本标准适用于光电转换效率≥18.2%的A级品多晶硅太阳电池

适用范围：主要技术内容:本文件规定了智能售货柜的智能控制技术规范的术语和定义、使用条件、技术要求、试验方法、检验规则、放置与搬运、安全事项。本文件适用于智能售货柜的智能控制技术

适用范围：范围:本标准适用于中小学理科实验教学使用的数字化传感器实验系统及配套仪器; 主要技术内容:本标准规定了数字化实验室   传感器及配套仪器的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存

适用范围：范围:本标准规定了光谱范围为190nm～1100 nm的光谱仪器用线阵电荷耦合成像器件的术语和参数测试方法。 本标准适用于光谱范围为190nm～1100 nm的光谱仪器用线阵电荷耦合成像器件（以下简称CCD器件）的参数测试; 主要技术内容:测试方法的分类本标准规定的测试方法分类如下：——方法 01  暗信号；——方法 02  暗信号非均匀性（固定图像噪声）；——方法 03  读出噪声；——方法 04  光响应非线性、饱和输出信号；——方法 05  动态范围；——方法 06  信噪比；——方法 07  缺陷；——方法 08  光响应非均匀性；——方法 09  响应率；——方法 10  光谱响应范围

适用范围：主要技术内容:本文件规定了全自动气门打标机的组成及结构、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存等方面的内容。本文件适用于全自动气门打标机的设计、制造和检验，其他类似打标机可参照适用

适用范围：主要技术内容:本标准规定了发热片的术语和定义、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于发热片的生产及检验

适用范围：范围:本文件规定了显示器件在暗室条件下视场光学性能的标准测试条件和测试方法。本文件不适用于手机类小尺寸屏; 主要技术内容:本文件规定了显示器件在暗室条件下视场光学性能的标准测试条件和测试方法。本文件不适用于手机类小尺寸屏

适用范围：主要技术内容:本文件规定了键合插针化学镀镍-磷合金镀层的技术要求和试验方法。本文件适用于键合插针法获得的镍-磷过饱和固溶体的热力学亚稳合金镀层。本文件不适用于化学镀镍硼合金镀层、镍-磷复合镀层以及三元合金镀层

适用范围：主要技术内容:本文件规定了对云侧深度学习芯片进行功能、性能测试的测试指标、测试方法和要求，适用于云侧深度学习芯片。本文件只规定云侧深度学习芯片基准测试的一般原则。本文件适用于第三方机构对云侧深度学习芯片进行性能测试与评估,也适用于云侧深度学习芯片产品的采购、设计。云侧芯片并不必须具备训练能力