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    适用范围:主要技术内容:SiC半导体材料以其独特的优异性能,特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件,如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看,n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似,所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底,为了制造n沟道IGBT器件材料,需要使用反转型n沟道IGBT器件结构,制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比,p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单,而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底,即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料,正是该p+型漂移层,使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能
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  • T/GHIC 001-2024 通讯射频连接器 现行
    译:T/GHIC 001-2024 Communication RF connector
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    【国际标准分类号(ICS)】 :31.220.10插头和插座装置、连接器 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
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    译:T/ZZB 3071-2023 Microwave high voltage capacitor
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了微波炉用高压电容器(以下简称电容器)的术语和定义、基本要求、使用条件、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存和质量承诺。本文件适用于在额定交流电压1800V至3000V范围内,叠加的直流电压的值为0.82倍交流额定电压下工作,额定最高温度不大于100℃,具有金属外壳,采用纸和(或)塑料膜作介质、金属箔作电极、浸渍合适油的非自愈式微波炉电容器
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.060.70电力电容器 【中国标准分类号(CCS)】 :K42电力电容器
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    译:T/ZSA 82-2021 UVA LED module technology specification for photocatalytic application
    适用范围:范围:本文件规定了光催化用UVA LED模块技术要求,包括术语和定义、技术要求、试验方法、标志、包装和运输。 本文件适用于峰值波长小于370 nm的UVA LED模块作为光源的光催化净化应用。 本文件适用于空气、水的净化,应用场景包括但不限于家庭、商业、工业、医院等; 主要技术内容:光催化技术是指利用在光作用下可以诱发光氧化-还原反应、具有光催化作用的材料以达到一定目的的技术。TiO2是应用最为广泛的半导体催化剂之一,具有合适的半导体禁带宽度(3.0 eV左右,可以用385 nm以下的光源激发活化)、光催化效率高、化学稳定性好、价格便宜、无毒且原料易得等优点,广泛应用于空气净化、水净化、废水处理、抗菌材料等领域。现有光催化用光源国际、国家标准仅规范了汞紫外光源,相对于传统汞紫外光源,紫外LED具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、尺寸小工业设计灵活、光发射指向性好、光谱可定制等特点;目前针对光催化净化领域应用的UVA LED,峰值波长370 nm的外量子效率研发水平达到40%左右,在光催化应用方面已经达到可以取代传统汞紫外光源的要求。希望借助本文件的制定,推动半导体照明、光催化的两个技术领域的融合,引导新兴市场应用和行业健康发展
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L电子元器件与信息技术
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-10-14 | 实施时间: 2021-10-15
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    译:T/CIECCPA 004-2019
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    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :P33居住与公共建筑工程
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