适用范围：主要技术内容:本文件规定了大型抽蓄机组自动电压控制（AVC）子站功能及性能，以及与主站的交互等方面的要求。适用于大型抽蓄电站新（改、扩）建 AVC 技术装备的设计、建设、验收及运行

适用范围：主要技术内容:本文件规定了绿色食品果桑绿色栽培的术语和定义、园地选择与建设、苗木定植、树型整形修剪、果桑园管理、采摘等技术要求。本文件适用于绿色食品果桑的生产栽培与管理

适用范围：主要技术内容:本标准规定了河北省饭店餐饮业“领跑者”企业的范围、术语和定义、基本要求、评价指标、评价方法与程序、评价结果管理等。本标准适用于河北省饭店餐饮业“领跑者”企业的评定

适用范围：主要技术内容:本文件规定了黄河滩区梨优质丰产栽培技术中术语和定义、高效建园、整形修剪、土肥水管理、花果管理、病虫害综合防控、采收等内容。本文件适用于山东省黄河滩区及周边梨种植区域

适用范围：主要技术内容:本标准规定了中国民用运输机场（以下简称机场）货物运输服务质量要求。本标准适用于机场的航空货物运输地面服务业务。本标准适用于机场货物运输服务质量管理和评价

适用范围：主要技术内容:1范围本文件规定了陆河青梅酒酿造的术语和定义、基本要求、酿造工艺、质量控制与贮存。本文件适用于陆河青梅酒的酿造生产。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 317白砂糖GB 2757食品安全国家标准 蒸馏酒及其配制酒GB 2758食品安全国家标准 发酵酒及其配制酒GB 2762食品安全国家标准 食品中污染物限量GB 2763食品安全国家标准 食品中农药最大残留限量GB 5749生活饮用水卫生标准GB/T 15109白酒工业术语GB/T 27588露酒GB 31639食品安全国家标准 食品加工用酵母GB/T 35883冰糖3术语和定义GB/T 15109、GB/T 27588界定的术语和定义适用于本文件。4基本要求4.1生产场地应安全、清洁、阴凉通风，无污染、无异味，具务防日晒、防雨淋、防潮湿等条件。4.2设施与设备应配备生产所需的设施与设备，包括但不限于浸泡设备、去核设备、破碎设备、过滤设备、发酵设备、陈酿设备。4.3人员操作人员应取得食品从业人员健康证明，具备青梅酒酿造相关的知识和技能。4.4原辅料4.4.1青梅果应选用国家地理标志产品陆河青梅规定产地范围内种植的青梅果，并符合GB 2762、GB 2763的规定。4.4.2白酒选用酒精度为30%~40%的米香型白酒，并符合GB 2757的规定。4.4.3冰糖应符合GB/T 35883的规定。4.4.4白砂糖应符合GB/T 317的规定。4.4.5生产用水应符合GB 5749的规定。5酿造工艺5.1工艺流程酿造工艺流程见图1。图1 酿造工艺流程图5.2选果、清洗、杀青5.2.1选择新鲜、无虫害、无霉烂、且果皮开始转黄，成熟度70%～80%的青梅果。5.2.2用清水洗净青梅果，去除果面杂质和污渍。5.2.3将洗净的青梅果放入温度为50℃的烘箱中烘烤15min。5.3浸泡将青梅果投入到洁净、无菌的浸泡设备中，宜按青梅果、冰糖（或白砂糖）、白酒质量比为5：1：5的比例浸泡，常温下浸泡18个月。5.4调配提取浸泡酒液的清液，通过加入纯净水和冰糖（或白砂糖）来调配清液的酒精度和糖度，

适用范围：范围:本文件适用于肉牛养殖场犊牛护理; 主要技术内容:本文件规定了肉牛养殖场犊牛的出生护理、饲养管理、疫病防治、档案记录

适用范围：范围:本文件规定了直串型分布式潮流控制器的系统调试条件、项目、方法及要求。 本文件适用于220kV及以下电压等级电网中的直串型分布式潮流控制器，采用其他型式的分布式潮流控制器可参照执行; 主要技术内容:分布式潮流控制器（DPFC）是一种基于大功率电力电子技术的新型柔性潮流控制装置，它可以分布式地安装于变电站内或线路耐张杆塔上，可实现目标潮流断面的优化控制，充分发挥线路走廊资源，解决断面超限问题，增强系统网架结构和承载力，提升区域电网抵御故障及风险能力。结合其本身具有成本低，可靠性高，占地小和可扩展性强的特点，DPFC是未来灵活交流交流输电（FACTS）技术的又一发展方向，具有广阔的推广应用前景。随着DPFC的推广应用，开展DPFC工程系统调试，全面考核DPFC主设备及系统的功能和性能，对于保证工程可靠投运及安全稳定运行至关重要。当前国内外均没有DPFC工程系统调试的标准，本文件对于DPFC工程系统调试的项目和方法进行了规范，提高调试全面性和准确性，保证DPFC安全可靠运行

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电力建设监理企业安全生产标准化实施的总体要求、目标职责、制度化管理、教育培训、现场管理、安全风险管控及隐患排查治理、应急管理、事故管理、持续改进的相关要求。本文件适用于电力建设监理企业实施安全生产标准化工作

适用范围：范围:本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。 本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态; 主要技术内容:碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。近年，随着单晶和外延薄膜生长技术的不断发展，SiC单极型器件譬如肖特基二极管（SBD）及金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）已经商业化，在不同应用领域的需求急剧增加。然而，由于材料中高密度位错缺陷的存在（典型值为103-104个/cm2），限制了其进一步的发展。SiC晶体中位错主要有三种类型：螺位错（TSD）、刃位错（TED）和基平面位错（BPD）。在衬底上进行同质外延时，衬底中的位错缺陷会向外延层中延伸和转化，导致外延层中大量扩展型缺陷。例如，衬底中的螺位错可以作为外延层中胡萝卜缺陷的成核中心，衬底中的螺位错转化为外延层中的弗兰克型层错（Frank SFs），衬底中的基平面位错大部分转化为刃位错、部分螺旋特征的BPD直接延伸到外延层中。这些缺陷的存在严重影响了SiC功率器件的性能，导致器件参数退化，特别是使得SiC高功率器件的优越特性无法得以实现。因此，对位错缺陷进行有效的表征与分析对单晶工艺及外延工艺改进优化进而提高器件性能至关重要。位错具有随机分布且密度量级大的特征，随着单晶尺寸的增大，人工统计位错密度的困难增加，过少的统计区域则又无法代表整个晶片的位错密度，因此需要依靠设备自动化来统计位错密度。目前我国以KOH腐蚀结合图像识别法检测和统计位错密度的标准属于空白领域，因此特制定本标准