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    适用范围:本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
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