适用范围：本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

适用范围：本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层（N/N＋）和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层（P/P＋）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

适用范围：本标准规定了电子工业用三氟化硼的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮运及安全要求。 本标准适用于以氟气和硼单质为原料，采用直接化合的方法制得并经过纯化制取的三氟化硼；和以氟硼酸钠为原料热分解法制得并经过纯化制取的三氟化硼。主要用于半导体器件和集成电路生产的离子注入和掺杂。 分子式：BF3。 相对分子质量：67.805（按2005年国际相对原子质量计算）。

适用范围：本标准规定了氧化亚氮的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于电子工业中化学气相淀积工艺。 分子式：N2O。 相对分子质量：44.012 8（按2005年国际相对原子质量计算）。

适用范围：本标准规定了合理润滑的术语和定义、合理润滑设计、润滑剂产品供应、润滑剂使用和润滑剂报废及再利用等技术要求。本标准适用于需要给予润滑的设备的设计与制造以及使用与管理；润滑剂的生产；润滑剂的使用与管理；报废润滑剂的处理与再利用。

适用范围：本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

适用范围：2.1本标准规定了α角的测量方法，α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。

适用范围：本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。

适用范围：本标准适用于半导体工业，氮化硅、氮化镓的化学气相淀积，也可用于硅或氧化硅的氮化。 分子式：NH3。 相对分子质量：17.031（按2005年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10 Ω～5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。