适用范围：GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。

适用范围：GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法，以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。 本试验是破坏性试验。 本试验总体上符合IEC 60068-2-11，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时，优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次～10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加工时，进行此项试验。对于气密封装器件，建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验，以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。 本部分的每一个试验条件，都是破坏性的，仅适用于鉴定试验。 本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

适用范围：GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a）检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b）确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

适用范围：GB/T 4678的本部分规定了压铸模用推板垫圈的结构型式和尺寸、要求、材料及标记。本部分适用于压铸模用推板垫圈。