适用范围：范围:本文件规定了集成电路金属封装外壳的性能要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体集成电路金属外壳，混合集成电路金属外壳可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了集成电路金属封装外壳的性能要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体集成电路金属外壳，混合集成电路金属外壳可参照执行

适用范围：主要技术内容:本文件规定了43英寸、50英寸、55英寸、58英寸、65英寸、75英寸、85英寸液晶电视显示屏S-COF尺寸、位置分布情况

适用范围：主要技术内容:本文件规范了气流传感器的范围、术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于插针式、贴片式、引线式类气流传感器。本产品主要用于电子烟气流传感，用来检查吸烟时的负压转换成输出电压驱动雾化装置

适用范围：主要技术内容:本标准规定了硅光电倍增管性能测试方法，包括测试目的、测试步骤、测试要求、测量方法等本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关

适用范围：范围:本文件适用于头戴式虚拟成像显示产品，包括外接式、外壳式、一体式虚拟成像显示产品的设计、生产、试验和应用过程中的视觉健康评定; 主要技术内容:本文件规定了头戴式虚拟成像显示产品的视觉健康评估内容、技术要求以及主要性能参数的测试方法

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验; 主要技术内容:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的Si MOSFET的功率循环试验方法会由于SiC MOSFET器件的阈值电压V_GS(th) 漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiC MOSFET器件的功率循环试验方法

适用范围：主要技术内容:本标准规定了闪络定位仪的术语定义、技术要求、校准条件、校准项目和方法以及复校时间间隔的要求等。本标准适用于基于超声原理的GIS/GIL闪络定位仪的校准。本标准不适用于除基于超声原理之外的闪络定位仪的校准

适用范围：范围:本文件适用于显示产品在正常使用和可合理预见的误用过程中的视觉健康风险评估; 主要技术内容:本文件规定了显示产品的视觉健康风险评估方法、视觉健康等级划分、视觉健康等级标识

适用范围：主要技术内容:本标准规定了TFT混合液晶密度的测试方法。本标准适用于TFT混合液晶

适用范围：范围:本标准规定了激光设备的机械危险、安全防护要求及措施、使用信息和安全防护要求的检验。 本标准适用于符合本文所规定的激光设备的机械安全要求及有关试验方法; 主要技术内容:本标准从危险的意识和评价、应特别加以注意的可预见的误用、设备存在的主要危险出发，列出了激光设备的主要机械危险，规定了激光设备机械危险的安全防护要求及防护措施，规定了其使用信息，并对安全防护的提出了检验要求