适用范围：本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为111、100或110、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。

适用范围：GB/T 15036的本部分规定了实木地板的检验方法和检验规则。本部分适用于实木地板检验。

适用范围：本标准规定了食用菌中粗蛋白含量的测定方法。本标准适用于食用菌中粗蛋白含量的测定。

适用范围：本标准规定了硅烷气体的技术要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等。 分子式：SiH4。 相对分子质量：32.117（按2005年国际相对原子质量）。

适用范围：1.1本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 1.2本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。

适用范围：本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。 本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

适用范围：本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3 Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1 Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。 本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。 本标准测量的碳原子含量的有效范围：室温下从硅中代位碳原子含量5×1015 at·cm-3 (0.1 ppma)到碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为5×1014 at·cm-3 (0.01 ppma)。

适用范围：本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10 -3 Ω·cm～3×10 3 Ω·cm。

适用范围：本标准规定了燃煤工业锅炉能源利用状况的监测项目、监测方法和考核指标。本标准适用于额定热功率(额定蒸发量)大于0.7 MW(1 t/h)、小于或等于24.5 MW(35 t/h)的工业蒸汽锅炉和额定供热量大于2.5 GJ/h的工业热水锅炉。

适用范围：本标准规定了食用菌中粗脂肪含量的测定方法。本标准适用于食用菌中粗脂肪含量的测定。