适用范围：GB/T 24583的本部分规定了硫酸亚铁铵滴定法测定钒含量。本部分适用于钒氮合金中钒含量的测定。测定范围（质量分数）：≥60.00%。

适用范围：本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。

适用范围：1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪（TD-GC）以及有关样品制备和分析的相关程序。

适用范围：本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

适用范围：1.1本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法，本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。

适用范围：本标准规定了金库和档案室门耐火性能分级、耐火试验装置、试验条件、试件要求、试验程序、试验结果表示和试验报告等。 本标准适用于密闭空间且最大内容积为142 m3的固定和移动式金库的门，也适用于最大内容积为1 420 m3密闭空间的档案室的门。金库门或档案室门按本标准进行试验后试验结果的应用方法参见附录A。

适用范围：2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。