适用范围：本标准规定了微波电路频率源的电参数测试方法。本标准适用于微波电路频率源，包括直接模拟合成源、直接数字合成源、间接模拟合成源和间接数字合成源，其他产品可参照使用。

适用范围：本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。

适用范围：针对指纹图像模态的质量方面，GB/T 33767的本部分：--确立了有助于指纹图像质量度量的规范、使用和测试的术语和定义；--定义了指纹图像质量分数；--识别或定义了指纹图像样本库，为算法开发人员和用户提供信息；--为描述质量度量特征，针对指纹图像样本库开发了专门的统计方法，有助于理解质量分数及其与匹配的性能之间的关系。本部分不包括以下内容：--质量算法的性能评估和标准化。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路电平转换器（以下称为器件）功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。

适用范围：本标准规定了串行与非（NAND）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：本标准规定了串行或非（NOR)型快闪存储器（以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号（LVDS，low voltage differential signaling）电路（以下称为“器件”）静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。

适用范围：本标准规定了噪声源主要电参数的测试方法。本标准适用于噪声源的电参数测试。