适用范围：范围:本文件规定了高功率红外激光准直镜的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于波长915 nm～1080 nm的高功率红外激光准直镜的设计、制造和检验; 主要技术内容:前言III1  范围12  规范性引用文件13  术语和定义14  技术要求14.1  一般要求14.2  外观14.3  尺寸14.4  性能25  试验方法25.1  外观25.2  尺寸25.3  性能试验26  检验规则36.1  出厂检验36.2  型式检验37  标志、包装、运输和贮存47.1  标志47.2  包装47.3  运输47.4  贮存4参考文献5

适用范围：主要技术内容:本文件规定了绝缘栅双极型晶体管的符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的设计、生产和应用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了IC电磁辐射测试新型TEM小室的试验条件、试验设备、试验布置、试验程序、试验报告等。本文件适用于IC电磁辐射测试

适用范围：主要技术内容:本文件规定了光纤激光器产品质量及企业标准水平的基本要求、评价指标及要求、评价方法及等级划分。本文件适用于工业用光纤激光器产品质量及企业标准水平评价。相关机构开展质量分级和企业标准水平评价、“领跑者”产品评价以及相关认证时可参照使用，相关企业在制定企业标准时也可参照本文件

适用范围：主要技术内容:本文件规定了阻变存储单元擦写、耐久性和数据保持等测试方法，其结果用于表征阻变存储器的电学特性。本文件适用于阻变存储器器件的测试，用于测试器件单元特性，不适用于包含外部驱动电路的存储单元

适用范围：范围:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：主要技术内容:本文件规定了印制电路用高速覆铜箔层压板（以下简称高速覆铜板）的术语和定义、型号、命名、标识和代号、结构、基本要求、技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存及质量承诺。本文件适用于双层及以上印制电路用高速覆铜箔层压板

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高精度超洁净晶圆卡爪生产制造规范的术语和定义、场地和人员、设备、材料、加工流程、成品质量、环境保护、安全。本文件适用于高精度超洁净晶圆卡爪（以下简称“卡爪”）的生产制造

适用范围：主要技术内容:本标准规定了冲孔式纸质载料带的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、运输和贮存、质量承诺。本标准适用于承载表面安装元器件的冲孔式纸质载料带（以下简称产品）

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高速传输速率TYPEC公头连接器的术语和定义、设备构成、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于高速传输速率TYPEC公头连接器的生产与检验