适用范围：范围:本文件规定了智能道路照明终端控制器的术语和定义、一般要求、分类和接口要求。 本文件适用于智能道路照明控制系统用的输入电压1 000 V 以下的直流（DC）供电和交流（AC） 供电的外置式终端控制器; 主要技术内容:本文件规定了智能道路照明终端控制器的术语和定义、一般要求、分类和接口要求。本文件适用于智能道路照明控制系统用的输入电压1 000 V 以下的直流（DC）供电和交流（AC）供电的外置式终端控制器

适用范围：主要技术内容:本文件规定了输电线路气象监测装置（简称监测装置）的监测参数与装置组成、功能要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。本文件适用于 110（66）kV 及以上电压等级交流和直流输电线路气象监测装置，其他电压等级的输电线路气象监测装置可参照执行

适用范围：主要技术内容:本标准规定了500kV及以下变电站金具技术规范的术语和定义、使用条件、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适应于所供500kV及以下变电站金具的设计、制造、装配、工厂试验和交付

适用范围：范围:本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。 本标准适用于电阻率测量范围: 105Ω?cm-1012Ω?cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底; 主要技术内容:SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaN HEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义。随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数。因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义。研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电缆和光缆绝缘和护套的厚度和外形尺寸全自动测量的术语与定义、基本要求、测量装置、厚度和外形尺寸的测量。本文件适用于常用类型的绝缘和护套材料厚度和外形尺寸的测量

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电力系统超算云仿真平台与仿真计算软件、人机交互软件之间的接口要求。本文件适用于电网调度机构、科研单位以及其他供应商关于电力系统超算云仿真平台的设计、开发、建设和应用

适用范围：主要技术内容:工业机器人线缆标准的本部分详细规定了额定电压30V工业机器人用信号电缆技术要求。所有电线电缆均应符合本标准第1部分规定的相应要求，并且各种型号电线电缆应分别符合本部分规定的特殊要求

适用范围：范围:本标准规定了GIS局放在线监测校验用标准设备的使用条件、技术要求、试验、包装、运输、安装及质量保证。 本标准适用于GIS局放在线监测校验用标准设备的设计及生产制造; 主要技术内容:基本设计要求、接入安全性、局放检测原理、外壳防护

适用范围：范围:GB/T 16916.1—2014及GB/T 16917.1—2014中第1章适用，并作出如下修改： 本标准适用于交流50 Hz或60 Hz，额定电压不超过240 V，额定电流不超过125 A，额定短路能力不超过25 000 A，动作功能与电源电压有关的带自检功能的剩余电流动作保护器，以下简称RCD-ST。 本标准可以用于指导交流额定电压不超过1 000 V的带自检功能的剩余电流动作保护器; 主要技术内容:GB/T 16916.1—2014及GB/T 16917.1—2014中第1章适用，并作出如下修改：本标准适用于交流50 Hz或60 Hz，额定电压不超过240 V，额定电流不超过125 A，额定短路能力不超过25 000 A，动作功能与电源电压有关的带自检功能的剩余电流动作保护器，以下简称RCD-ST。本标准可以用于指导交流额定电压不超过1 000 V的带自检功能的剩余电流动作保护器

适用范围：主要技术内容:本文件规定了变电站巡检机器人信息采集方式、内容和要求。本文件适用于各电压等级变电站（换流站）中户外轮式巡检机器人、室内轮式巡检机器人、室内轨道式巡检机器人的巡检作业