适用范围：范围:本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法; 主要技术内容:本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法

适用范围：范围:本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。 本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测; 主要技术内容:本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录

适用范围：范围:本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 本文件适用于β相氧化镓单晶; 主要技术内容:氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9 eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率，延长工作寿命等方面具有不可替代的优势。氧化镓单晶材料的重要性能指标之一就是结晶质量，而高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽测试具有快速、无损、精度高等优点，是表征氧化镓单晶结晶质量的必要方法，编制本方法有助于规范行业内产品质量的评估，对产业的健康发展及半导体材料的标准化工作可起到重要的促进作用

适用范围：范围:本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。 本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。 本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/到3000Ω/的范围; 主要技术内容:碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一， 关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有形成统一的行业标准或地方标准，因此本标准的制定， 将填补国内导电碳化硅半导体材料在技术领域的标准空白。本标准的实施将为导电碳化硅单晶生长企业的销售及用户选择合适的产品提供依据，并将规范我国导电碳化硅半导体材料产业，从而促进该产业的健康有序发展，进而将提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。 本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片; 主要技术内容:随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷

适用范围：范围:本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。 本标准适用于电阻率测量范围: 105Ω?cm-1012Ω?cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底; 主要技术内容:SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaN HEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义。随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数。因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义。研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用

适用范围：主要技术内容:本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层